| 主权项 |
1.一种固体摄影装置,其特征为具备: 摄影部,其系将包括光电变换元件之单位单元配置 成2次元阵列状者; 选择线,其系选择前述摄影部内之同一列的前述单 位单元,且由多晶矽所形成者; 读出线,其系读出储存于前述摄影部内的前述同一 列之前述单位单元的前述光电变换元件之电荷,且 由多晶矽所形成者; 信号线,其系传送由前述摄影部内的前述同一列之 前述单位单元所输出的像素信号者; 复位(reset)线,其系排出前述摄影部内的前述同一 列之前述单位单元内的不需要电荷,且由多晶矽所 形成者; 驱动电路,其系分别将驱动信号供给至前述读出线 、前述选择线、前述复位线,且配置于前述摄影部 的一侧者;及 读出辅助配线,其系沿着至少前述读出线所配置, 具有较前述读出线低的电阻率,并且与前述读出线 于复数处电气连接者。 2.如申请专利范围第1项之固体摄影装置,其中前述 读出辅助配线系沿着前述读出线的大致全长平行 配置。 3.如申请专利范围第1项之固体摄影装置,其中前述 读出辅助配线系经由层间绝缘膜配设于前述读出 线上方。 4.如申请专利范围第1项之固体摄影装置,其中前述 读出辅助配线系在前述摄影部的一方侧的外部与 另一方侧的外部,分别与前述读出线连接。 5.如申请专利范围第1项之固体摄影装置,其中前述 读出辅助配线系由以铝为主体之金属所构成。 6.如申请专利范围第1项之固体摄影装置,其中沿着 前述复位线配置复位辅助配线,复位辅助配线具有 较前述复位线低的电阻率,并且与前述复位线电气 连接。 7.如申请专利范围第6项之固体摄影装置,其中前述 复位辅助配线系由以铝为主体之金属所构成。 8.如申请专利范围第1项之固体摄影装置,其中沿着 前述选择线配置选择辅助配线,选择辅助配线具有 较前述选择线低的电阻率,并且与前述选择线电气 连接。 9.如申请专利范围第8项之固体摄影装置,其中前述 选择辅助配线系由以铝为主体之金属所构成。 10.一种固体摄影装置,其特征为具备: 摄影部,其系将包括第1及第2光电变换元件之单位 单元配置成2次元阵列状者; 选择线,其系选择前述摄影部内之同一列的前述单 位单元,且由多晶矽所形成者; 第1及第2读出线,其系读出储存于前述摄影部内的 前述同一列之前述单位单元的前述第1及第2光电 变换元件之电荷,且由多晶矽所形成者; 信号线,其系用于传送由前述摄影部内的前述同一 列之前述单位单元所输出的像素信号者; 复位线,其系排出前述摄影部内的前述同一列之前 述单位单元内的不需要电荷,且由多晶矽所形成者 ; 驱动电路,其系分别将驱动信号供给至前述第1及 第2读出线、前述选择线、前述复位线,且配置于 前述摄影部的一侧者;及 第1及第2读出辅助配线,其系沿着至少前述第1及第 2读出线所配置,具有较前述第1及第2读出线低的电 阻率,并且分别与前述第1及第2读出线电气连接者 。 11.如申请专利范围第10项之固体摄影装置,其中沿 着前述复位线及前述选择线配设复位辅助配线及 前述选择辅助配线; 前述复位辅助配线及前述选择辅助配线具有较前 述复位线及前述选择线低的电阻率,并且在复数处 分别与前述复位线及前述选择线电气连接。 12.如申请专利范围第11项之固体摄影装置,其中前 述第1及第2读出线、前述复位线、前述选择线中 之任2条驱动配线对称地配置于前述第1光电变换 元件的两侧,另2条驱动配线对称地配置于前述第2 光电变换元件的两侧。 13.如申请专利范围第12项之固体摄影装置,其中前 述第1及第2读出辅助配线、前述复位辅助配线、 前述选择辅助配线设置于同一层。 图式简单说明: 图1系作为本发明的第1实施形态之CMOS感测器的等 价电路图。 图2系显示图1的CMOS感测器之重要部分具体构造的 平面图。 图3系图2之以A1-A2、B1-B2线切断之纵断面图。 图4系显示在于上述CMOS感测器的单元部,来自于驱 动电路之距离与供给电压的关系之图表。 图5系显示作为本发明的第2实施形态之CMOS感测器 的一像素部例的等价电路图。 图6系显示图5的一像素部之重要部分具体构造的 平面图。 图7系显示图6之以C-C线切断之纵断面图。 图8系显示作为本发明的第2实施形态之CMOS感测器 的一像素部例的等价电路图。 图9系显示图8的一像素部之重要部分具体构造的 平面图。 图10系显示在于以往之CMOS感测器的单元部,来自于 驱动电路之距离与供给电压的关系之图表。 |
