| 主权项 |
1.一种制程设备,包括: 一真空反应室; 一磁控组件,配设于该真空反应室内;以及 一调整单元,配设于该真空反应室,用以在该真空 反应室为真空状态时,自该真空反应室外调整该磁 控组件之磁力线分布。 2.如申请专利范围第1项所述之制程设备,其中该调 整单元包括电子式外部控制调整机构。 3.如申请专利范围第2项所述之制程设备,其中该调 整单元包括: 至少一步进马达;以及 一导杆组,系由该步进马达进行驱动,且该导杆组 适于接触并调整该磁控组件之位置。 4.如申请专利范围第3项所述之制程设备,其中该步 进马达与该导杆组系配设于该真空反应室内。 5.如申请专利范围第3项所述之制程设备,其中该步 进马达系配设于该真空反应室外,且该导杆组系贯 穿该真空反应室而由该步进马达进行驱动。 6.如申请专利范围第1项所述之制程设备,其中该调 整单元包括机械式外部控制调整机构。 7.如申请专利范围第6项所述之制程设备,其中该磁 控组件包括: 一安装板,配设于该真空反应室内; 多数个螺杆,贯穿并螺合该安装板;以及 多数个磁铁,分别连接该些螺杆。 8.如申请专利范围第7项所述之制程设备,其中该调 整单元包括多数个调整杆,贯穿该真空反应室且适 于接触该些螺杆,而每一该些调整杆与该些螺杆之 接触端分别具有一传动结构,以使该些调整杆藉由 该些传动结构而转动该些螺杆,并改变该些磁铁之 配设位置。 9.如申请专利范围第8项所述之制程设备,其中该调 整单元更包括多数个密封件,分别配设于该些调整 杆贯穿该真空反应室处,用以避免该真空反应室外 之大气进入该真空反应室。 10.如申请专利范围第1项所述之制程设备,更包括 至少一距离感测器,配设于该真空反应室内,用以 量测该磁控组件之位置。 11.如申请专利范围第1项所述之制程设备,更包括 至少一感测器,配设于该真空反应室内,用以感测 该磁控组件与该调整单元是否互相接触。 12.如申请专利范围第1项所述之制程设备,更包括 一往复机构,配设于该真空反应室内并连接该磁控 组件,以带动该磁控组件进行往复运动。 13.如申请专利范围第1项所述之制程设备,其中该 磁控组件包括至少一电磁铁,而该调整单元包括一 控制电路,该控制电路系电性连接该电磁铁。 14.如申请专利范围第1项所述之制程设备,更包括 至少一磁力感测器,配设于该真空反应室内,用以 量测该磁控组件之磁力变化。 15.如申请专利范围第1项所述之制程设备,其中该 真空反应室包括溅镀反应室。 16.一种磁控溅镀机,适于将一靶材溅镀至一基板上 ,该磁控溅镀机包括: 一溅镀反应室; 一隔离壁,配设于该溅镀反应室内,以将该溅镀反 应室区隔为一溅镀室与一磁控室,其中该靶材与该 基板适于配设在该溅镀室内,而该靶材位于该隔离 壁处; 一磁控组件,配设于该磁控室内;以及 一外部控制调整机构,至少部分配设于该磁控室内 ,适于接触该磁控组件,以于该溅镀反应室内为真 空状态时,在该溅镀反应室外对该磁控组件之位置 进行调整。 17.如申请专利范围第16项所述之磁控溅镀机,其中 该外部控制调整机构包括电子式外部控制调整机 构。 18.如申请专利范围第17项所述之磁控溅镀机,其中 该外部控制调整机构包括: 至少一步进马达;以及 一导杆组,系由该步进马达进行驱动,且该导杆组 适于接触该磁控组件。 19.如申请专利范围第18项所述之磁控溅镀机,其中 该步进马达与该导杆组系位于该磁控室内。 20.如申请专利范围第18项所述之磁控溅镀机,其中 该步进马达系配设于该溅镀反应室外,且该导杆组 系贯穿该溅镀反应室而由该步进马达进行驱动。 21.如申请专利范围第16项所述之磁控溅镀机,其中 该外部控制调整机构包括机械式外部控制调整机 构。 22.如申请专利范围第21项所述之磁控溅镀机,其中 该磁控组件包括: 一安装板,配设于该磁控室内; 多数个螺杆,贯穿并螺合该安装板;以及 多数个磁铁,分别连接该些螺杆。 23.如申请专利范围第22项所述之磁控溅镀机,其中 该外部控制调整机构包括多数个调整杆,贯穿该溅 镀反应室且适于接触该些螺杆,而每一该些调整杆 与该些螺杆之接触端分别具有一传动结构,以使该 些调整杆藉由该些传动结构而转动该些螺杆,并改 变该些磁铁与该隔离壁间的距离。 24.如申请专利范围第23项所述之磁控溅镀机,其中 该外部控制调整机构更包括多数个密封件,分别配 设于该些调整杆贯穿该溅镀反应室处,用以避免该 溅镀反应室外之大气进入该溅镀反应室。 25.如申请专利范围第16项所述之磁控溅镀机,更包 括至少一距离感测器,配设于该磁控室内,用以量 测该磁控组件与该隔离壁间的距离。 26.如申请专利范围第16项所述之磁控溅镀机,更包 括至少一感测器,配设于该磁控室内,用以感测该 磁控组件与该外部控制调整机构是否互相接触。 27.如申请专利范围第16项所述之磁控溅镀机,更包 括一往复机构,配设于该磁控室内并连接该磁控组 件,以带动该磁控组件进行往复运动。 28.一种磁控溅镀机,适于将一靶材溅镀至一基板上 ,该磁控溅镀机包括: 一溅镀反应室; 一隔离壁一配设于该溅镀反应室内,以将该溅镀反 应室区隔为一溅镀室与一磁控室,其中该靶材与该 基板适于配设在该溅镀室内,而该靶材位于该隔离 壁处; 一磁控组件,配设于该磁控室内,该磁控组件包括 至少一电磁铁;以及 一控制电路,电性连接该电磁铁,以于该溅镀反应 室内为真空状态时,在该溅镀反应室外对该磁控组 件之磁力大小进行调整。 29.如申请专利范围第28项所述之磁控溅镀机,更包 括至少一磁力感测器,配设于该溅镀反应室内,用 以量测该磁控组件之磁力变化。 30.如申请专利范围第28项所述之磁控溅镀机,更包 括一往复机构,配设于该磁控室内并连接该磁控组 件,以带动该磁控组件进行往复运动。 图式简单说明: 图1绘示为本发明第一实施例之磁控溅镀机的剖面 示意图。 图2绘示为图1中磁控室的局部放大图。 图3绘示为本发明第二实施例之磁控溅镀机的剖面 示意图。 图4绘示为本发明第三实施例之磁控溅镀机的剖面 示意图。 |
