发明名称 | 高耐压输出级 | ||
摘要 | 一种输出级结构,其包含第一、第二p型金氧半导体电晶体以及第一、第二n型金氧半导体电晶体,其中,该些金氧半导体电晶体系以双井制程制作。第一p型金氧半导体电晶体之源极连接电压源,闸极连接第一电压;第二p型金氧半导体电晶体之源极连接第一p型金氧半导体电晶体之汲极,闸极连接第二电压,汲极连接输出垫;第一n型金氧半导体电晶体之汲极连接输出垫,闸极连接第三电压;第二n型金氧半导体电晶体之汲极连接第一n型金氧半导体电晶体之源极,闸极连接第四电压,源极连接一接地点。 | ||
申请公布号 | TW200608567 | 申请公布日期 | 2006.03.01 |
申请号 | TW093125510 | 申请日期 | 2004.08.26 |
申请人 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 发明人 | 李朝政;林永豪;王文祺;蔡瑞原 |
分类号 | H01L29/66 | 主分类号 | H01L29/66 |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县新竹科学园区工业东九路2号 |