发明名称 高耐压输出级
摘要 一种输出级结构,其包含第一、第二p型金氧半导体电晶体以及第一、第二n型金氧半导体电晶体,其中,该些金氧半导体电晶体系以双井制程制作。第一p型金氧半导体电晶体之源极连接电压源,闸极连接第一电压;第二p型金氧半导体电晶体之源极连接第一p型金氧半导体电晶体之汲极,闸极连接第二电压,汲极连接输出垫;第一n型金氧半导体电晶体之汲极连接输出垫,闸极连接第三电压;第二n型金氧半导体电晶体之汲极连接第一n型金氧半导体电晶体之源极,闸极连接第四电压,源极连接一接地点。
申请公布号 TW200608567 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW093125510 申请日期 2004.08.26
申请人 瑞昱半导体股份有限公司 发明人 李朝政;林永豪;王文祺;蔡瑞原
分类号 H01L29/66 主分类号 H01L29/66
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹县新竹科学园区工业东九路2号