| 主权项 |
1.一种金属配线基板,系将埋设于电绝缘基板之表 层的金属配线、用以覆盖该金属配线之可做机械 性剥离且防止该金属配线之氧化的载片(carrier sheet)做贴合。 2.如申请专利范围第1项之金属配线基板,其中,该 金属配线之与载片相接之表面未被施以防锈处理 。 3.如申请专利范围第1项之金属配线基板,其中,埋 设于电绝缘基板之表层的金属配线之面系被施以 防锈处理。 4.如申请专利范围第1项之金属配线基板,其中,载 片系金属片或树脂片。 5.如申请专利范围第4项之金属配线基板,其中,树 脂片系择自聚醯亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、 聚对二甲酸乙二醇酯、聚苯硫、聚乙烯、聚丙 烯以及氟树脂之至少一种的树脂膜,且金属片为铜 箔。 6.如申请专利范围第1项之金属配线基板,其中,载 片之厚度为30~100m之范围。 7.如申请专利范围第1项之金属配线基板,其中,金 属配线为铜箔,在载片与配线间形成有剥离层,该 剥离层为镀铬层。 8.一种半导体装置,系具有下述构造:埋设于电绝缘 基板之金属端子电极与半导体元件上之突起电极 做电连接,该突起电极之前端会因为该半导体元件 组装于该基板而被压溃,该基板与该半导体元件之 连接部系由绝缘树脂体所补强而一体化。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,金属 端子电极之表面未被施以防锈处理。 10.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,绝缘 树脂体为树脂膜。 11.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,绝缘 树脂体系由无机填料与至少含有环氧树脂之树脂 成分所构成者。 12.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,半导 体元件系埋设于其他基板内。 13.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,半导 体元件埋设于基板内之际,该半导体与该基板之间 不存在空隙。 14.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,绝缘 树脂体与埋设半导体元件之基板皆以含有无机填 料与树脂之组成所构成。 15.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,于半 导体元件所形成之突起电极系以镀敷的方式形成 。 16.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中,金属 端子电极为铜箔,在载片与金属端子电极之间形成 有剥离层,该剥离层为镀铬层。 17.一种半导体装置之制造方法,系包含: 使用在载片上形成有金属配线图案之转印材,让转 印材与电绝缘基板接触并将该金属配线图案埋入 该基板内之制程; 准备一用以将该金属配线图案与半导体元件上所 形成之突起电极的连接部加以补强之绝缘树脂体 之制程; 将该载片剥离之剥离制程;以及 于因该剥离制程所露出之该金属配线图案上,施以 加热、负荷来透过绝缘树脂体使得该突起电极之 前端接触于该金属配线图案,并以该前端被压溃的 方式将该配线图案与该突起电极加热、加压来进 行连接之半导体组装制程。 18.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方 法,其中,载片系金属片或树脂片。 19.如申请专利范围第18项之半导体装置之制造方 法,其中,树脂片系择自聚醯亚胺、聚对苯二甲酸 乙二醇酯、聚对二甲酸乙二醇酯、聚苯硫、聚 乙烯、聚丙烯以及氟树脂之至少一种的树脂膜,且 金属片为铜箔。 20.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方 法,其中,载片为铜箔、金属配线图案为铜箔,在载 片与配线图案间形成有做为剥离层之镀铬层。 21.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方 法,其中,系含有:于半导体组装制程之后,于含有以 无机填料与树脂之组成所构成之基板内埋设该半 导体元件之制程。 22.如申请专利范围第17项之半导体装置之制造方 法,其中,突起电极系以镀敷所形成者。 图式简单说明: 图1A~图1B所示系本发明之第1实施形态之半导体装 置之各制程的截面图,图1C~图1E所示系第2实施形态 之半导体装置之各制程的截面图。 图2A~图2B所示系本发明之第2实施形态之其他半导 体装置之各制程的截面图。 图3A~图3B所示系本发明之第3实施形态之半导体装 置之制程的截面图。 图4系本发明之第4实施形态之内藏有元件之基板 的配线层之截面图。 图5A~图5B系使用习知之异向性导电膜(ACF)之半导体 装置之组装方法的示意截面图。 |
