| 发明名称 |
PRODUCTION OF DIELECTRIC THIN FILM |
| 摘要 |
PURPOSE:Production of a dielectric thin film of amorphous bismuth oxides containing iron exides on a substrate kept at a specified temperature through ion impact-vapor deposition. |
| 申请公布号 |
JPS5258899(A) |
申请公布日期 |
1977.05.14 |
| 申请号 |
JP19750135778 |
申请日期 |
1975.11.11 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
MITSUYU TSUNEO;WASA KIYOTAKA;HAYAKAWA SHIGERU |
| 分类号 |
C04B35/00;C01G29/00;H01B3/00;H01B3/10;H01L41/18;H01L41/39;H03H3/007;H03H3/08;H03H7/30 |
主分类号 |
C04B35/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
