| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
전기 특성 및 신뢰성이 높은 박막 트랜지스터를 갖는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치를 높은 양산성으로 제작하는 방법을 제안하는 것을 과제로 한다. 반도체층으로서 In, Ga, 및 Zn를 포함하는 산화물 반도체막을 사용하고, 반도체층과 소스 전극층 및 드레인 전극층 사이에 버퍼층이 형성된 역 스태거형(보텀 게이트 구조)의 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 요지로 한다. 소스 전극층 및 드레인 전극층과 반도체층 사이에 반도체층보다 캐리어 농도가 높은 버퍼층을 의도적으로 형성함으로써, 오믹(ohmic)성의 콘택트를 형성한다. |
| 申请公布号 |
KR20160124716(A) |
申请公布日期 |
2016.10.28 |
| 申请号 |
KR20160133437 |
申请日期 |
2016.10.14 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
YAMAZAKI SHUNPEI;MIYAIRI HIDEKAZU;MIYANAGA AKIHARU;AKIMOTO KENGO;SHIRAISHI KOJIRO |
| 分类号 |
H01L29/786;H01L27/12;H01L29/45 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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