| 主权项 |
1﹒一种增加N─型及未掺杂氢化不定型矽层之无光导电性及光电传导性之方法,此两种矽层均系在一种交流或直流近距辉光放电中所制造者,此方法包括:将一基片罗于一近距辉光放电装置中;将其压力减低至大约0﹒3至1托里析利真空度(Torr);将此基片加热至大约150℃至400℃;将一种气体混合导入,此混合物中含有大约自百分之10自百分之90体积之氩气及大约自百分之90至百分之10体积之矽烷;及跨两电极加一电位。2﹒根据上述请求专利部份第1项所述之方法,其中该电位系一交流电位,其电压约为500伏至2千伏(RMS),其频率大约等于1赫或大于1赫。3﹒根据上述请求专利部份第2项所述之方法,其中该交流电压约为1﹒5千伏(RMS)。4﹒根据上述请求专利部份第1所述之方法,其中该电位为一直流电位,其电压大约自700伏至1500伏。5﹒根据上述请求专利部份第4项所述之方法,其中该阴极网帘电流密度约为每立方厘米1毫米。6﹒根据上述请求专利部份第5项所述之方法,其中该直流电压约为1﹒2千伏。7﹒根据上述请求专利部份第3项或第5项所述之方法,其中该基片温度约为自250℃自350℃。8﹒根据上述请求专利部份第3项或第5项所述之方法,其中该压力约为0﹒6托里析利真空度(Torr)。9﹒根据上述请求惠利部份第3项或第5项所述之方法,其中该气体混合物之流量率约为每分钟10标准立方厘米至每分/100标准立方厘米。10﹒根据上述请求专利部份第1项所述之方法,其中所述辉光放电装置中之矽烷含有一种N一型掺杂剂,其限度约为百万分之10至大约百分之3。11﹒根据上述请求专利部份第10项所述之方法,其中该N─型掺剂为PH3。12﹒根据上述请求专利部份第1所述之方法,其中系用一种含矽─氢─卤素之化合物取代辉光放电大气中之矽烷,而所述未掺杂及N─型导性氢化不定型矽层加有一种含量约达百分之7原子数之卤素。13﹒根据上述请求专利部份第12项所述之方法,其中所述含矽─氢─卤素之化合物加有一种浓度约为此含矽─氢─卤素化合物之百万分之10至大约百分之3之N─型掺杂剂。14﹒一种氢化不定型矽太阳电池,具有多个未掺杂而为N型导电性之氢化不定型砂质区域,而系在一种交流物直流近距辉光放电中制成于一基片上者,而此其创新之处包括在一种辉光放电大气(此辉光放电大气系由含量约为其体积之百分10至百分之90之氩气及含量约为其体积之百分之90至百分之10之矽烷结合而成)中,于一自大约0﹒3至大约1托里析利真空度之压力下,以一自大约150℃至大约400℃之基片温度制造所述各区域。15﹒根据上述请求专利部份第14项所述之太阳电池,其中一种含矽─卤素─氢之化合物系取代该矽烷,而其未掺杂及N─型导电性氢化不定型矽质区域则含有一种卤素,其含量达大约百分之7之原子数。 |
