| 主权项 |
1﹒一改良之光电伏打电池包括:一导电之第一电 极 一硫化镉之第一膜和前述电极为欧姆接触的;一 硫化亚铜之第二膜和前述硫化镉膜接触,形成一 p一n接面;一第三膜接触前述硫化亚铜膜,此 膜选自一组包括含铬膜,一含铬膜其上沉积有一 含铜膜,一含铜膜其上沉积有一含铬膜及含有铬 和铜混合物之膜;一导电之第二电极和前述第三 膜为欧姆接触。 2﹒依据请求专利部份第1项之电池其中前述第三 膜 为一含铬膜,厚度约为8至15A,前述第二电 极为一似栅状之电极它让辐射能量通过前述第三 膜。 3﹒依据请求专利部份第1项之电池其中前述第三 膜 为一含铬膜,膜厚度约为8至15A其上沉积有 一厚约50至100A之含铜膜,前述第二电极 为一栅状之电极,它让辐射能通过前述第三膜。 4﹒依据请求专利部份第1项之电池其中前述第三 膜 为一含铜膜厚约50至100A其上沉积有一厚 约8至15A之含铬膜,前述第二电极为一栅状 电极它让辐射能通过前述第三膜。 5﹒依据请求专利部份第1项之电池其中前述第三 膜 为一含铬及铜混合物之膜厚约50至100A, 前述第二电极为一栅状电极它让辐射能通过前述 第三膜。 6﹒依据请求专利部份第1项之电池其中前述第一 电 极为一氧化锡(stannicoxide), 氧化铟或其混合物,厚度约为10至2x1O^ 4A,被一对辐射能为透明之底材所支撑着。 7﹒依据请求专利部份第6项之电池,其中之前述底 材为玻璃。 8﹒一制作光电伏打电池之方法包括;准备一导电 之 第一电极;施用一硫化镉之第一膜于前述电极上 ;施用一硫化亚铜之第二膜于前述第一膜上,形 成一p一n接面;施用一导电第二电极于其上; 其改良包括在施用第二电极前先施用一第三膜于 前述第二膜上;前述第三膜为选自一组包括一含 铬膜,一含铬膜其上沉积有一含铜膜,一含铜膜 其上沉积有一含铬膜,及一含有铬和铜混合物之 膜。 9﹒依据请求专利部份第8项之方法其中前述第三 膜 为一含铬膜其所施用之厚度约为8至15A,前 述第二电极为一栅状之电极它让辐射能通过前述 第三膜。 10﹒依据请求专利部份第8项之方法其中 之前述第 三膜为一含铬膜其所施用之厚度约为8至15A 其上施用有一厚度约为50至100A之含铜膜 ,前述电极为一栅状电极它让辐射能透过前述第 三膜。 11﹒依据请求专利部份第8项之方法其中前述第三 膜 为一含铜膜所施用之厚度约为50至100A其 上施用明一厚度约为8至15A之合铬膜,前述 第二电极为一栅状电极它让辐射能透过前述第三 膜。 12﹒依据请求专利部份第8项之方法其中前述第三 膜 为一含铬和铜混合物之膜其所施用之厚度约为5 0至100A,及前述顶部电极为栅状电极它让 辐射能透过前述第三膜。 13﹒依据请求专利部份第8项之方法其中前述底部 电 极为氧化鍚、氧化铟或其混合物,被施用于对辐 射能为透明之底材上,所施用之厚度约为10^ 3至2X10^4A,前述第三膜所施用之厚度 约为10至25A。 14﹒依据请求专利部份第8,9,10,11,,1 2或13等项,其中前述第三膜之施用采蒸发方 式。 15﹒依据请求专利部份第8,9,10,11,12 或13等项,其中之前述第三膜之施用为化学的 。 16﹒依据请求专利部份第8,9,10,11,12 或13项其中之前述第三膜之旋用为电解的。 |
