发明名称 |
Elektronenstrahl-Lithografieprozess mit mehreren Säulen |
摘要 |
Die vorliegende Offenbarung stellt ein Verfahren eines Elektronenstrahl(E-Strahl)-Lithografieprozesses bereit. Das Verfahren umfasst das Laden einer Trägerschicht in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System, so dass eine erste Untermenge von Feldern, dir auf der Trägerschicht definiert ist, auf der Trägerschicht entlang einer ersten Richtung angeordnet ist. Das Verfahren umfasst auch das Positionieren mehrerer E-Strahlsäulen mit einer ersten Untermenge von E-Strahlsäulen, die entlang der ersten Richtung angeordnet ist. Die E-Strahlsäulen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen sind auf verschiedene Felder der ersten Untermenge von Feldern gerichtet. Das Verfahren umfasst auch das Durchführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen die Trägerschicht entlang der ersten Richtung abtasten. |
申请公布号 |
DE102015106704(A1) |
申请公布日期 |
2016.09.29 |
申请号 |
DE201510106704 |
申请日期 |
2015.04.30 |
申请人 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
发明人 |
Wang, Wen-Chuan;Lin, Shy-Jay |
分类号 |
G03F7/20 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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