发明名称 Elektronenstrahl-Lithografieprozess mit mehreren Säulen
摘要 Die vorliegende Offenbarung stellt ein Verfahren eines Elektronenstrahl(E-Strahl)-Lithografieprozesses bereit. Das Verfahren umfasst das Laden einer Trägerschicht in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System, so dass eine erste Untermenge von Feldern, dir auf der Trägerschicht definiert ist, auf der Trägerschicht entlang einer ersten Richtung angeordnet ist. Das Verfahren umfasst auch das Positionieren mehrerer E-Strahlsäulen mit einer ersten Untermenge von E-Strahlsäulen, die entlang der ersten Richtung angeordnet ist. Die E-Strahlsäulen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen sind auf verschiedene Felder der ersten Untermenge von Feldern gerichtet. Das Verfahren umfasst auch das Durchführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen die Trägerschicht entlang der ersten Richtung abtasten.
申请公布号 DE102015106704(A1) 申请公布日期 2016.09.29
申请号 DE201510106704 申请日期 2015.04.30
申请人 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 发明人 Wang, Wen-Chuan;Lin, Shy-Jay
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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