Method of aluminium doping a semiconductor device.

摘要

Zur p-Dotierung von Silizium, insbesondere für Leistungshalbleiterbauelemente, wird Aluminium von einem A1-Target durch Kathodenzerstäubung in einem Argon-Plasma auf einer Hauptfläche (2) einer Siliziumscheibe (1) abgeschieden, wodurch eine vergleichsweise hohe Reinheit des abgeschiedenen Aluminiums erreicht wird. Vor der Aluminiumabscheidung wird die Siliziumscheibe (1) 10 min bei einem Argon-Druck von 20 µbar mit Argon-Ionen bombardiert, was bei einem späteren Aufheizen ein gleichmässiges Verschmelzen des Aluminiums mit dem Silizium gewährleistet und insbesondere eine Tröpfchenbildung des Aluminiums auf der Hauptfläche (2) verhindert. Die so gebildete A1-Schicht wird photolithographisch vorzugsweise so strukturiert, dass auf eine aluminiumdotierte Zone (10) mehrere voneinander beabstandete Aluminiumquellen kommen. Das anschliessende Diffundieren erfolgt 300 min lang bei 1250°C in einem Gasgemisch aus Stickstoff oder Argon (1 l/min) und Sauerstoff (20 ml/min). Dabei entsteht die aluminiumdotierte Zone (10). Danach wird auf die nichtdiffundierten Gebiete Photolack (13, 14) aufgebracht. Reste (11') der Aluminiumquellen werden nun durch ein Siliziumätzmittel unterätzt und dadurch entfernt. Anschliessend wird der Photolack (13, 14) beseitigt.