发明名称 在2–位置上带有一取代基之维生素D3衍生物及其制法
摘要
申请公布号 TW105162 申请公布日期 1988.11.11
申请号 TW074105179 申请日期 1985.11.19
申请人 中外制药股份有限公司 发明人 久保寺登;村山荣五郎;松永功;宫本胜仁;越智清成
分类号 A61K31/59;C07C401/00 主分类号 A61K31/59
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1. 下式之1-羟基维生素D3衍生物: 其中R1为羟基团,胺基团或OR'基团 (其中R'为具有1至7个碳原子之低级 烷基团,其可被或不被一个羟基团,卤素 原子,氰基团,具1至3个碳原子之低级 烷氧基团,胺基团或醯基胺基团所取代) ;R2为氢原子或羟基团。2.根据请专利部份第1顶之 化合物,其系以 下式代表: 其中R2及R'均如同请求专利部份第1 项所述。3.根据讲求专利部份第1顶之化合物,其系 以下式代表: 其中R2如同讲求专利部份第1项所述; R4为被基取代之具1至7个碳原子之低 级烷基团。4.根据请求专利部份第1项之化合物,其 中 之R2系为氢原子。5.根据请求专利部份第1项之化 合物,其中 之R2系为羟基团。6.如同讲求专利部份第2顶之化 合物,其中 之R2系为氢原子。7.如同请求专利部份第2顶之化 合物,其中 之R2系为羟基团。8.如同申求专利部份第3项之化 合物,其中 之R2系为氢原子。9.如同请求专利部份第3项之化 合物,其中 之R2系为羟基团。10.下式1-羟基维生素D 制法: 其中R1为羟基团,胺基团或OR'基团 (其中R'为具有1至7个碳原子之低级 烷基团,其可被或不被一个羟基团,卤素 原子,氰基团,其1至3个碳原子之低级 烷氧基团,胺基团或醯基胺基团所取代) ;R2为氢原子或羟基团,上述方法包括 使用紫外线照射法将下式之原维生素D3 衍主物照明, (其中R1及R2均如前述及),再令已照 射之衍生物进行热异构化作用。
地址 日本