| 摘要 |
노멀리-오프형 반도체 디바이스들이 제공된다. 3족 질화물 버퍼층이 제공된다. 3족 질화물 장벽층이 3족 질화물 버퍼층 상에 제공된다. 비도전성 스페이서 층이 3족 질화물 장벽층 상에 제공된다. 3족 질화물 장벽층 및 스페이서 층을 에칭하여 트렌치를 형성한다. 트렌치는 장벽층을 통해 연장하고 버퍼층의 일부를 노출시킨다. 유전체 층이 스페이서 층 상에 그리고 트렌치 내에 형성되고, 게이트 전극이 유전체 층 상에 형성된다. 반도체 디바이스들을 형성하는 관련 방법들도 본 명세서에 제공된다. |
