| 主权项 |
1.一种方法,其包括分子量小于500之反应性单体物质(诸如二异氰酸酯,二-和三卤基甲矽烷,二-和三乙醯氧基甲矽烷及二-和三烷氧基甲矽烷)施用于具有平均横截面直径为5-20,000A之微孔之多孔性气体分离膜上(此膜对氨和氮气对的选择性至少为2),而引起上述单体物质反应形成聚合物,藉此改进该薄膜对至少2或多种气体之渗透选择性(permselectivity)2.如申请专利范围第1项所请之方法,其中所述异氰酸酯是芳族的。3.如申请专利范围第2项所请之方法,其中所述异氰酸酯是2,4-甲苯二异氰酸酯。4.如申请专利范围第1项所请之方法,其中所述气体分离膜是为中空纤维形态。5.如申请专利范围第4项所请之方法,其中所述气体分离膜是由芳族聚醯胺形成。6.如申请专利范围第1项所请之方法,其中所述烷基卤代甲矽烷系选自二烷基二卤化代甲矽烷,烷其三卤代甲矽烷或其混合物。7.如申请专利范围第6项所请之方法,其中所述二烷基二卤代甲矽烷是为二烷基二氯代甲矽烷。8.如申请专利范围第7项所请之方法,其中所述二烷基二卤代甲矽烷是为二甲基二氯代甲矽烷。9.如申请专利范围第1项所请之方法,其中所述气体分离膜是为中空纤维形态。10.如申请专利范围第9项所请之方法,其中所述气体分离膜是中方聚酯胺形成。11.如申请专利范围第1项所请之方法,其中所述卤代甲矽烷是为芳族的。12.如申请专利范围第11项所请之方法,其中所述芳族卤代甲矽烷是为二芳其三卤代甲矽烷。13.如申请专利范围第12项所请之方法,其中所述二芳基二卤代甲矽烷是为二芳其二氯代甲矽烷。14.如申请专利范围第13项所请之方法,其中所述二芳基二氯代甲矽烷是为二苯基二氯代甲矽烷。15.如申请专利范围第11项所谓之方法,其中所述气体分离膜是为中空纤维形态。16.如申请专利范围第15项所谓之方法,其中所述气体分离膜是中方族聚醯胺形成的。17.如申请专利范围第6项所请之方法,其中所述烷其三卤代甲矽烷是为烷其三氯代甲矽烷。18.如申请专利范围第17项所请之方法,其中所述烷基三氯代甲矽烷系选自甲其三氯代甲矽烷,十八烷基三氯代甲矽烷或其混合物。19.如申请专利范围第17项所谓之方法,其中所述气体分离膜是为中空纤维形态。20.如申请专利范围第17项所请之方法,其中所述气体分离膜是由芳族聚醯胺形成的。21.如申请专利范围第1项所谓之方法,其中所述乙醯氧基甲矽烷是为C1-C18烷基。22.如申请专利范围第21项所谓之方法,其中所述烷基乙醯氧基甲矽烷具有3个乙醯氧基。23.如申请专利范围第22项所请之方法,其中所述烷基三乙醯氧基是为乙基三乙醯氧基甲矽烷。24.如申请专利范围第21项所谓之方法,其中所述气体分离膜是为中空纤维形态。25.如申请专利范围第21项所谓之方法,其中气体分离膜是由芳族聚醯胺形成的。26.如申请专利范围第21项所请之方法,其中所述乙醯氧基甲矽烷是为芳族的。27.如申请专利范围第26项所谓之方法,其中所述芳族乙醯氧基甲矽烷具有2个乙醯氧基。28.如申请专利范围第27项所请之方法,其中所述二芳其二乙醯氧基甲矽烷是为二苯基二乙醯氧基甲矽烷。29.如申请专利范围第28项所请之方法,其中所述气体分离膜是为中空纤维形态。30.如申请专利范围第26项所谓之方法,其中气所述气体分离膜是由芳族聚醯胺所形成。31.如申请专利范围第1项所请之方法,其中所述烷氧基是为甲氧基。32.如申请专利范围第31项所请之方法,其中所述烷基甲氧基甲矽烷系选自二甲基二甲氧基甲矽烷,甲基三甲氧基甲矽烷,乙基三甲氧基甲矽烷或其混合物。33.如申请专利范围第31项所谓之方法,其中所述气体分离膜是为中空纤维形态。34.如申请专利范围第31项所请之方法,其中气体分离膜是由芳族聚醯胺形成。 |
