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发明名称 Gate isolated base cell structure with off-grid gate polysilicon pattern
摘要
申请公布号 US4928160(A) 申请公布日期 1990.05.22
申请号 US19890297355 申请日期 1989.01.17
申请人 NCR CORPORATION 发明人 CRAFTS, HAROLD S.
分类号 H01L27/092;H01L21/82;H01L21/8238;H01L27/118 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
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