| 主权项 |
1.一种薄膜电阻器,包含有作为电阻材料之铑(Rh)氧化物和至少一种金属(M)之混合物,该种金属(M)选自包含有矽(Si),铅(Pb),铋(Bi),锆(Zr),钡(Ba),铝(Al),硼(B),锡(Sn)和汰(Ti)之群族,其中M/Rh,或金属(M)原子数铑(Rh)原子数之比率在0.3-3.0之范围者。2.如上述申请专利范围第1项所述之薄膜电阻器,其中该混合物包含有:一铑复合物,例如:与羧酸,环式三硫醇和双酮一起;一Si复合物,例如:和低分子且矽树脂和矽院氧化物;一Bi复合物,例如:一pb复合物,例如:;和以(RCOO)n M表示之金属和以(R-0) n。M表示之金属烷氧化物之其他复合物者。3.一种薄膜电阻器之制法,该薄电阻器包含有作为电阻材料之铑(Rh)氧化物和至少一种金属(M)之混合物,该种金属(M)选自包含有矽(Si),铅(Pb),铋(Bi),锆(Zr),钡(Ba),铝(Al),硼(B),锡(Sn)和汰(Ti)之群族.其中M/Rh,或金属(M)原子数对铑(Rh)原子数之比率在0.3-3.0之范围,此种制法所包含之步骤有:一制造含有铑(Rh)和至少一种金属(M) 之有机金属材料之溶液,让种金属(M)选自包含有矽(Si),铅(Pb),铋(Bi),锆(Zr),钡(Ba),铝(Al),硼(B),锡(Sn)和汰(Ti)之群族,其中M/Rh,或金属(M)原子数对铑(Rh)原子数之比率在0.3-3.0之范围,一调整该有机金属材料之溶液之粘度使其成为5,000-30,000cps;一将该有机金属材料涂覆在一个基体上;一使涂覆在该基体上之该有机金属材料变乾;和一在空气中,以尖峰温度不低于500C之温度烘烤被涂覆在该基体上之该有机金属材料者。4.如上述申请专利范围第3项所述之制法,其中以大约120C的温度来进行涂在在该基体上之该有机金属材料之变乾步骤者。5.如上述申请专利范围第3项所述之制法,其中以大约10分锺的期间来进行涂覆在该基体上之该有机金属材料之烘烤步骤者。6.如上述申请专利范围第3项所述之制法,其中以500-800C之温度范围的温度来进行涂覆在该基体上之该有机金属材料之烘烤步骤者。7.如上述申请专利范围第3项所述之制法,其中该有机金属材料之溶液包含有:一铑复合物,例如:与羧酸,环式三硫醇和双酮一起;一Si复合物,例如:和低分子且矽树脂;一Bi复合物,例如:一Pb复合物,例如:和以(R-C-O) n M表示之金属和以(R-O) n M表示之金属烷氧化物之其他复合物者。 |
