| 主权项 |
1﹒一种制造包含铜酸铍一锶钙、铅一经取代的铜酸铍锶钙,或铜酸铊一钡钙超导体材料主体(如11,12)之装置的方法,该方法包含使熔融物至少局部地冷却,所述的熔融物包含所述材料之组份,此法特征为,所述的熔融物进一步地包含助熔剂成份,而此助熔剂成份包含至少一种选自氯化钠和氯化钾的助熔剂。2﹒如申请专利范围第1项所带方法,其中,所指的至少一种助熔剂的量为所述熔融物扣掉所述组份后所剩部份的50重量百分率以上。3﹒如申请专利范围第1项所带方法,其中,所述组份为所述熔融物的10至50重量百分率。4﹒如申请专利范围第1项所带方法,其中,所述助熔剂成份包含氯化钠。5﹒如申请专利范围第1项所带方法,其中,所述助熔剂成份包含氯化钾。6﹒如申请专利范围第1项所带方法,其中,所述助熔剂成份包含氯化钠和氯化钾。7﹒如申请专利范围第1项所带方法,其中,冷却作用是冷却至650℃至800℃之范围内的温度。8﹒如申请专利范围第1项所带方法,其中,所述熔融物之配制包含使其加热至750℃至900℃之范围内的温度。9﹒如申请专利范围第1项所带方法,其中,残留的盐类是藉着冲洗而由所述本体中除去。10﹒如申请专利范围第9项所带方法,其中,冲洗是以水来实行的。11﹒一种包含铜酸铍—锶钙,铅一经取代的铜酸铍—锶钙,或铜酸铊—钡钙等超导体材料主体的制品,所述主体基本上是单晶体的形式,并在至少某一制造阶段时,其有大于2mm之直径。12﹒如申请专利范围第11项所带方法,其中,所述主体是在基底上的磊晶层。 |
