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실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 교호로 적층된 제 1 영역, 및 제 1 영역의 실리콘 산화막의 막 두께보다 큰 막 두께를 가지는 실리콘 산화막을 가지는 제 2 영역을 동시에 에칭하는 방법을 제공한다. 일실시 형태의 방법은, 피처리체가 준비된 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서, 플루오르카본 가스 및 하이드로 플루오르카본 가스를 포함하는 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정과, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서, 수소 가스, 하이드로 플루오르카본 가스 및 질소 가스를 포함하는 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정을 포함한다. 이 방법에서는, 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정 및 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 공정이 교호로 반복된다. |
