| 摘要 |
반도체 장치의 특성의 변동을 억제한다. 연마가 실시된 제1 절연막을 갖는 기판의 제1 절연막의 막 두께 분포 데이터를 수신하는 공정과, 막 두께 분포 데이터를 기초로 기판의 중심측의 막 두께와 외주측의 막 두께와의 차를 작게 하는 처리 데이터를 연산하는 공정과, 기판을 처리실에 반입하는 공정과, 기판에 처리 가스를 공급하는 공정과, 처리 데이터를 기초로, 기판의 중심측에 생성되는 처리 가스의 활성종의 농도와, 기판의 외주측에 생성되는 처리 가스의 활성종의 농도가 상이해지도록 처리 가스를 활성화시켜서 제1 절연막의 막 두께 분포를 보정하는 공정을 갖는다. |
