| 主权项 |
1.一种聚合物结垢防止剂,系供包括如下通式(Ⅰ) 所示带 有烯型双键之卤乙桸单体之聚合反应所用:(式中,X 代表 卤原子,R代表氢原子或卤原子),该剂系由:(1)具有 选 自第一级、第二级及第三级胺基以及季铵基之至 少一个基 之芳族化合物及/或具有该类基之至少一个基之染 料;及 (2)选自聚乙烯基硫酸之硷金属及铵盐之至少一种 化合物 ,所组成者。2.如申请专利范围第1项之聚合物结垢 防止剂,其中该成 份(1)系选自二胺基二苯胺;二胺基 ;二胺基 啶;二 胺基偶氮苯;盐酸小檗硷;溶剂黑3,5,7及22;硷性黑2 ;硷性橙14;以及由通式(式中,R1代表氢原子、氯原 子 、胺基、苯胺基或羟基苯胺基,而R2代表氢原子、 胺基, 羟基、或甲基)所示之芳族胺类化合物,与通式(式 中,R3 代表氢原子、氯原子、羟基、甲氧基、乙氧基、 胺基、或 羧基)所示之芳族硝基化合物,在缩合触媒存在下 且于100 -250℃之温度经过缩合所制成之缩合生成物者。3. 如申请专利范围第2项之聚合物结垢防止剂,其中 该缩 合生成物系为表4所示之缩合生成物1至21者。4.如 申请专利范围第1项之聚合物结垢防止剂,其中该 成 份(2)之含量系于每100份重量之该成份(1)中使用1至 100, 000份重量者。5.如申请专利范围第1项之聚合物结 垢防止剂,其中另含 有成份(3) 天然染料者。6.如申请专利范围第5项之 聚合物结垢防止剂,其中该成 份(3)之含量,系于每100份重量之成份(1)中使用0.1至 5, 000份重量者。7.如申请专利范围第5项之聚合物结 垢防止剂,其中成份( 3)系选自 红紫素、紫草烷、2,3-二羟基 茜、莽草 宁 、以及莽草宁之衍生物者。8.如申请专利范围第1 项之聚合物结垢防止剂,它另含有 至少一种溶剂,以将各种成份溶解或分散于其中, 此溶剂 系选自水、醇类、酮类、醚类、酯类、 喃类、脂 族羟、 芳族烃、卤化烃、以及对质子有堕性之有机溶剂 者。9.如申请专利范围第1项之聚合物结垢防止剂, 它另含有 成份(4)水溶性高分子化合物者。10.如申请专利范 围第8项之聚合物结垢防止剂,其中之pH 系利用pH调节节予以调节至7或更低者。11.如申请 专利范围第9项之聚合物结垢防止剂,其中之水 溶性高分子化合物(4)系选自羧甲基纤维素、甲基 纤维素 、聚乙撑亚胺、聚乙烯醇、及明胶者。12.如申请 专利范围第10项之聚合物结垢防止剂,其中之 pH调节剂(5)系选自磷酸、高氯酸、钼酸、钨酸、 磷钼酸 、磷钨酸、钼矽酸、钨矽酸、对甲苯磺酸、植酸 、及彼等 之酸式盐者。13.一种在带有烯型双键之单体-包含 通式(Ⅰ)所示之卤 乙烯-进行聚合时,防止在聚合槽形成聚合物结垢 之方法 ,其中该聚合系于内壁表面涂以含下述成份之涂层 的聚合 槽内进行者,它包含:(1)至少带有一个第一级、第 二级 及第三级胺基、以及季铵基之芳族化合物,及/或 至少带 有一个该类基团之染料;以及(2)选自聚乙烯基硫酸 之硷 金属盐及铵盐中的至少一种化合物。14.如申请专 利范围第13项之方法,其中该涂层另含有(3) 天然染料者。15.如申请专利范围第14项之方法,其 中涂层在乾燥状态 之涂覆重量为0.001至5g/m2之间者。16.如申请专利范 围第13项之方法,其中该涂层除涂覆于 聚合槽内壁表面外,亦被涂覆于在聚合期间会与单 体相接 触之聚合槽其他设备者。17.如申请专利范围第13 项之方法,其中该涂层亦被涂覆 于会与未反应单体相接触之未反应单体回收系统 设备者。18.如申请专利范围第13项之方法,其中之 单体系包含乙 烯基卤及亚乙烯基卤中之至少一种成份,且亦可包 含选自 乙烯基酯;丙烯酸、甲基丙烯酸、及彼等之酯类及 盐类; 二烯类单体;芳族乙烯基化合物;以及乙烯基醚等 单体者 。19.如申请专利范围第13项之方法,其中该聚合系 以悬浮 聚合、乳化聚合、溶液聚合、整体聚合、或气相 聚合等方 式进行者。20.一种聚合反应槽,其内壁表面涂有下 述成份组成之涂 层:(1)至少带有一个第一级、第二级及第三级胺基 ,以 及季铵基之芳族化合物,及/或至少带有一个该类 基团之 染料;(2)选自聚乙烯基硫酸之硷金属盐及铵盐中的 至少 |
