| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé pour la formation de revêtements céramiques ou de type céramique, monocouche ou multicouche, à basse température, sur des substrats sensibles à la chaleur. <BR/> Le procédé comprend les étapes consistant à enduire le substrat d'une une solution comprenant une résine d'hydrogénosilsesquioxane diluée dans un solvant, à évaporer le solvant pour déposer ainsi un revêtement précurseur de matière céramique sur le substrat, puis à transformer le revêtement précurseur en une matière céramique contenant du bioxyde de silicium en chauffant le revêtement précurseur entre environ 40degré C et environ 400degré C en présence d'ozone qui augmente la vitesse à laquelle progresse la transformation en matière céramique et qui permet à cette transformation de s'effectuer aux basses températures. D'autres couches de matières céramiques peuvent être déposées sur la couche initiale en tant que couches de protection à effet de passivation et/ou de barrière. <BR/> Application à la protection des dispositifs électroniques.</P>
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