发明名称 Verfahren zur Lochbildung und Messvorrichtung
摘要 Bei einem isolierenden Film, auf dem eine ein Nahfeldlicht erzeugende Komponente angeordnet wurde, wird während der Film in einer elektrolytischen Lösung mit Licht bestrahlt wird, oder nachdem der Film nach der Bestrahlung des Films mit Licht in eine elektrolytische Lösung gelegt wurde, eine Abfolge, bei der eine erste Spannung zwischen beiden Elektroden angelegt wird, die in der elektrolytischen Lösung den Film in die Mitte nehmend eingesetzt sind, und anschließend eine zweite Spannung zwischen den beiden Elektroden angelegt wird, wobei durch das Anlegen der zweiten Spannung der Wert des zwischen den beiden Elektroden fließenden Stroms festgestellt wird, gestoppt, wenn der Stromwert einen vorab eingestellten Schwellwert erreicht oder überschritten hat, wodurch in dem Dünnfilm an der gewünschten Stelle ein Loch eingebracht wird.
申请公布号 DE112015001642(T5) 申请公布日期 2016.12.29
申请号 DE20151101642T 申请日期 2015.03.26
申请人 Hitachi High-Technologies Corporation 发明人 Itabashi, Naoshi;Migitaka, Sonoko;Yanagi, Itaru;Akahori, Rena;Takeda, Kenichi
分类号 B82Y40/00;G01N21/64;G01N21/65 主分类号 B82Y40/00
代理机构 代理人
主权项
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