发明名称 压缩玻璃引导通过装置
摘要 本发明系有关制造金属体中之压缩玻璃引导通过装置。此种压缩玻璃引通装置用于半导体,尤其是积体电路之金属外壳上。此等引导通过装置必需使外壳内部与外部世界气密式地密封。为此,一玻璃珠熔入于外壳之中孔中,且积体电路之连接导线向外穿过玻璃。现经发现在熔入程序后之冷却工作期间中,系统Cu、Al及Mg之合金呈现一硬化效果,由此等合金,能制造一种压缩玻璃引导通过装罝,即使在高度的热及/或机械负荷之后,该装置具有气密式地密封之完善性。该装置对温度波动具有高抵抗力且对腐蚀具有良好之抵抗力。(图4)
申请公布号 TW235955 申请公布日期 1994.12.11
申请号 TW082107353 申请日期 1993.09.08
申请人 狄尔有限公司;依雷卓维克有限公司 奥地利 发明人 瓦特.芬德尔;伍夫刚.贺尼各
分类号 C03B7/02 主分类号 C03B7/02
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.在金属体(1)中之一种压缩玻璃引导通过装置(8,9),其中,溶化之玻璃(9)引进(由熔入)于加热至高温之金属体(1)之孔(8)中,其中,玻璃(9)之膨胀系数低于金属,且其处理温度在金属之固化温度区域中或以下,且其中,在冷却程序之期间中,任何时刻均不应超过金属之弹性限度;其特征为使用一种金属合金,此合金在冷却时呈现一硬化效果;该压缩玻璃引导通过装置(8,9)(金属-玻璃)之冷却率之许可冷却曲线在玻玻(9)之最高许可冷却率以下,及在金属至少所需之冷却率以上;且铜作为非铁金属合金。2.如申请专利范围第1项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为使用组成Cu(平衡),0.1-10%Ni,0.1-12%Sn,及0-0.4%Mn之合金。3.如申请专利范围第1项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为使用组成Cu(平衡),0.1-5%Cr,及0.01-5%Zr之合金。4.如申请专利范围第1项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为使用组成65%重量之SiOC_2C,5%之AlC_2COC_3C,15%之BaO-ZnO,及15%之NaC_2CO+KC_2CO+LiC_2CO之玻璃。5.如申请专利范围第1项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为该压缩玻璃引导通过装置自800-1000℃之温度以大于10℃/分钟之速率冷却至约室温。6.如申请专利范围第5项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为在该冷却工作之期间中,宜保持温度恒定不变于250-450℃之范围中数分钟至数小时。7.如申请专利范围第5项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为在冷却程序后,该压缩玻璃引导通过装置加热高至250℃及450℃间,宜约320℃之一温度,并热老化1分钟至10小时,宜自2至6小时。8.如申请专利范围第5项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为在冷却程序后,该压缩玻璃引导通过装置加热至至少250℃之一温度,并自此逐步加热至最高450℃,且该工作在每步骤中保持1分钟及2小时之间。9.如申请专利范围第1项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为该压缩玻璃引导通过装置具有一或更多之内导线,各导线埋置于玻璃中,并由玻璃与金属体绝缘,其中,内导线及玻璃之热膨胀系数约相等。10.用以制造申请专利范围第1项所述之玻璃引导通过装置之一种方法,其特征为在压缩玻璃引导通过装置进入包含合金Cu(平衡),9%Ni,10%Sn,及0.3%Mn之金属体中时,在950℃上溶化-玻璃珠,并插入一导线,然后以约25℃/分钟之速率冷却压缩玻璃引导通过装置至室温。11.如申请专利范围第1项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为该装置用于半导体之外壳,尤其是用于积体电路之外壳(混合外壳)上。12.如申请专利范围第1项所述之压缩玻璃引导通过装置,其特征为用以制造该外壳之合金为铸制,条片,挤制,或锻制件之形状。图1为积体电路之混合外壳之顶视图,图2为在图1之箭头A所示之方向上所见之外壳图,图3为图2所示之压缩玻璃引导通过装置之放大比例尺之图,图4为有关玻璃及金属之热膨胀系数与温度之主要关系之草图,图5为玻璃-金属系统之冷却率之限度曲线之主要形状之草图,及图6为本发明之合金与比较性材料之一些
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