| 主权项 |
1.一种高感度宽频多孔矽光感测器之制造方法,其包括:a)提供一矽基板;b)将该矽基板之背面镀以第一金属层;c)将该镀金属之矽基板在钝气体中焠火;d)将该焠火后之矽基板封以蜡;e)将该封蜡后之矽基板置于氢氟酸中阳极氧化蚀刻,以使矽基板上形成不同孔径之多孔矽;f)除去蜡;以及g)将正面再蒸镀一第二金属层即得光感测器。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该基板系P型矽基板。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该矽基板之背面系以热蒸镀法镀以第一金属层,该第一金属层系铝,以使电流均匀。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该基板之电阻系数为约25-45-cm。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该钝气系氮气,焠火时间约10分钟,焠火温度约550℃。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该氢氟酸之浓度约5,系于室温中,系于室温中进行。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该阳极氧化蚀刻之时间约15分钟,电流密度保持在约5mA/cmC^2C。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该蒸镀一第二金属层系一层极薄之金,使成萧基接触(Schottkycontact),以收集电流。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该矽基板之晶格方向系(100)。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该蜡系黑蜡。11.一种高感度宽频多孔矽光感测器之制品,其包括:一P型矽基板;一第一金属层,镀着于该P型矽基板背面;一多孔矽层,系以氢氟酸溶液蚀刻于该P型矽基板之正面而成,而该多孔矽层之孔径并不一定相同;以及一第二金属层,系镀着于该多孔矽层之正面,即得光感测器。第一图:系本案阳极氧化蚀刻之装置图。第二图:系本案在暗室中及照光条件下之电流-电压特性曲线图。第三图:系本案在波长自400-1000nm,操作电压为2Volt之光谱反应图 |
