| 主权项 |
1. 一种制造半导体装置之方法,由多个半导体元件和导体轨道被形成在一供应着半导体材料层于一绝缘层上之半导体晶片的一第一侧上,在该半导体晶片以第一侧固定至一支持晶片之后,且在该材料从该半导体晶片被移走,并从第二侧移走直至该绝缘层已被曝露之后,在此方法中该绝缘层被供应着多个接触窗,其中多个传导元件被供应以连接至该等半导体元件,其特征在于该绝缘层被供应着多个接触窗及该等传导元件从该半导体晶片的第一侧供应于接触窗之内,在后者被固定至该支持晶片之前。2.根据申请专利范围第1项之方法,其特征在于在该等接触窗形成于该绝缘层内之后,一传导层被沉淀在该半导体晶片的第一侧上,其中接着该等导体轨道和该等传导元件被形成。3. 根据申请专利范围第2项之方法,其特征在于在该等导体轨道和该等传导元件被形成于该传导体内和该基础层内之后,该传导材料层沉淀在一传导基础层上。4. 根据申请专利范围第2项之方法,其特征在于在该传导层沉淀之前,该等接触窗被供应着一辅助层于其底部上。5. 根据申请专利范围第3或4项之方法,其特征在于在该绝缘层已被曝露之后,该等接触窗内部的该传导层也被曝露。图示简单说明:图1至图6则以图解及横截面图示本发明之方法的一些步骤制造之半导体装置的一部份;及图7至图10则以图解及横截面图示本发明较佳实施例之方 |
