| 主权项 |
1. 一种形成平表面之方法,该方法系利用在基体上形成之玻璃旋涂层一致之回蚀,并包括: 在基体上形成一玻璃旋涂层(SOG),该基体具有一中央区及周边区之环状形状,该玻璃旋涂层在该中央区之厚度较该周边区之厚度大; 在该玻璃旋涂层上形成一牺牲层,该牺牲层在该基体之周边区之厚度较该中央区之厚度大; 蚀刻该牺牲层及部份玻璃旋涂层。2. 如申请专利范围第1项之方法,该牺牲层是用氧化矽材料利用化学蒸汽淀积方法形成,在形成牺牲层时气体反应物流过该基体,气体流速要如是控制,以使气体反应物流量率在周边区较中央区高。3. 如申请专利范围第1项之方法,其中之玻璃旋涂层之厚度在大约3000埃到6000埃之范围。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中之该玻璃旋涂层系由不只一层玻璃旋涂层组成。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中之该玻璃旋涂层要在该牺牲层形成前作烘焙及固化处理。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中之该玻璃旋涂层系由矽酸 及矽氧烷组成之一组中选出之材料构成。7. 如申请专利范围第1项之方法,其中之牺牲层之厚度在大约3000到8000埃范围。8. 如申请专利范围第1项之方法,其中之该牺牲层在该周边区之厚度至少与玻璃旋涂层之厚区及薄区之厚度差相等。9. 如申请专利范围第1项之方法,其中之该牺牲层与该玻璃旋涂层之厚度总和在中央区及周边区几乎相等。10. 如申请专利范围第1项之方法,其中之牺牲层系利用电浆提升化学蒸汽淀积法,利用四乙氧基矽烷分解形成之氧化矽形成。11. 如申请专利范围第1项之方法,其中之牺牲层系由利用电浆提升之化学蒸汽淀积法用矽烷形成之氧化矽形成。12. 如申请专利范围第1项之方法,其中该玻璃旋涂层之回蚀系用三氟甲烷(CHF@ss3)及四氟化碳(CF@ss4)蚀刻电浆化学完成。13. 如申请专利范围第1项之方法,其中该玻璃旋涂层之回蚀系在下列条件下完成:CH@ss4之流量在大约每分钟15到40标准立方公分范围,CHF@ss3之流量在大约每分钟50到100标准立方公分范围及CH@ss4与CHF@ss3之比在大约3:10到6:10之间,氩气流量率大约每分钟300到400标准立方公分之间及射频功率在大约450到550瓦之范围,压力在300到600毫托(mTorr)之范围,在蚀刻期间之晶片温度在大约25℃到70℃之间。14. 如申请专利范围第1项之方法,其中之基体另外包含一在基体表面上及该玻璃旋涂层下之第一氧化矽绝缘层,该第一绝缘层之厚度在大约1000到3000埃之范围。15. 如申请专利范围第1项之方法,其中之第一绝缘层系在该玻璃旋涂层形成之前在基体表面上形成;该回蚀程序包括所有该牺牲层及部份该玻璃旋涂层及部份该第一绝缘层之回蚀。16. 如申请专利范围第1项之方法,其中之该玻璃旋涂层为一电介材料层。17. 一种形成一平表面之方法,该方法系利用一致之回蚀基体上形成之玻璃旋涂层,包括: 在一基体上形成一第一绝缘层,该基体具有环形状;有一中央区及一周围区; 在该第一绝缘层上形成一玻璃旋涂层,该玻璃旋涂层之厚度在中央区较在周边区为大; 在该玻璃旋涂层上形成一牺牲层,该牺牲层在该基体之周边区之厚度较在该中央区之厚度大,该牺牲层及该玻璃旋涂层之厚度总和在该中央区与该周边区差不多相等,该牺牲层系由用化学蒸汽淀积法淀积之氧化矽形成,在淀积加工中气体反应物流经该基体之上方,该气体反应物之流量要加以控制,使气体反应物流量率在周边区较在中央区高;及 蚀刻该牺牲层及部份该玻璃旋涂层。18. 如申请专利范围第17项之方法,其中之玻璃旋涂层厚度在大约3000到6000埃之范围。19. 如申请专利范围第17项之方法,其中之玻璃旋涂层由一层以上之玻璃旋涂层组成。20. 如申请专利范围第17项之方法,其中之玻璃旋涂层在该牺牲层形成前要加以烘培及固化处理。21. 如申请专利范围第17项之方法,其中之玻璃旋涂层系由矽酸 及矽氧烷组成之一组中选出之材料形成。22. 如申请专利范围第17项之方法,其中之牺牲层之厚度大约3000埃到8000埃之范围。23. 如申请专利范围第17项之方法,其中之牺牲层系由利用电浆提升化学蒸汽淀积法分解四乙氧基矽烷形成之氧化矽形成。24. 如申请专利范围第17项之方法,其中之牺牲层系由利用电浆提升化学蒸汽淀积法,用矽烷形成之氧化矽形成。25. 如申请专利范围第17项之方法,其中玻璃旋涂层之回蚀系用三氟甲烷(CHF@ss3)及四氟化碳(CF@ss4)腐蚀电浆化学完成。26. 如申请专利范围第17项之方法,其中该玻璃旋涂层之回蚀系在大约下列条件完成:CH@ss4之流量在大约每分钟15到40标准立方公分,CHF@ss3之流量在大约每分钟50到100标准立方公分,CH@ss4与CHF@ss3之比大约为3:10到6:10之间,氩气流量率在大约每分钟300到400标准立方公分之间,射频功率在大约450到550瓦之范围,压力在300到600毫托(mTorr)之范围,在腐蚀加工期之晶片温度大约为25℃到70℃之范围。27. 如申请专利范围第17项之方法,其中之第一绝缘层之厚度在大约1000埃到3000埃之范围。28. 如申请专利范围第17项之方法,其中之方法另外包括在剩余之该第一绝缘层及该剩余之玻璃旋涂层上形成一第二绝缘层。29. 如申请专利范围第17项之方法,其中之玻璃旋涂层是一电介材料层。图示简单说明:第一图示基体(10)上形成之第一绝缘层(12)及中心较厚之玻璃旋涂层(14)。第二图示玻璃旋涂层(14)上形成一外周厚中心薄之牺牲层(20)。第三图示部份玻璃旋涂层(14)蚀刻后之平面化。第四图示所有玻璃旋涂层(14)蚀刻后之平面化。第五图示在平面化之玻璃旋涂层(14)上形成第二绝缘层(24)。 |
