| 主权项 |
1.一种光阻涂布方法,系用以将一光阻涂布于一半导体晶片上,该方法包含:注入该光阻于该晶片的一部份上,该晶片系由一旋转台所支撑且该晶片以一低速旋转;以一高速旋转该晶片使该光阻扩展于该晶片上;及以一中速旋转该晶片使该光阻平坦化,该中速系大于或等于该低速且该中速小于或等于该高速。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述注入之光阻温度大约为20.2至22.7℃。3.如申请专利范围第1项之方法,更包含施以一加速力于该晶片上,以使得该晶片从该低速变为该高速。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述加速力之速率大约为每秒每分钟5000至15000转(rpm/sec)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之扩展步骤历时约0至4秒。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之中速大约为每分钟1700至5000转。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之高速大于该中速每分钟0至2000转。8.如申请专利范围第1项之方法,于平坦化步骤后,其中上述之光阻厚度大约为7000至30000埃。9.一种光阻涂布方法,系用以将一光阻涂布于一纯(bare)半导体晶片上,该方法包含:注入该光阻于该纯晶片的一部份上,该纯晶片系由一旋转台所支撑且该纯晶片以一低速旋转;以一高速旋转该纯晶片使该光阻扩展于该纯晶片上;及以一中速旋转该纯晶片使得位于该纯晶片中央的该光阻厚度小于该纯晶片外围的该光阻厚度,该中速系大于该低速且该中速小于该高速。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述注入之光阻温度大约为20.2至22.7℃。11.如申请专利范围第9项之方法,更包含施以一加速力于该纯晶片上,以使得该纯晶片从该低速变为该高速。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述加速力之速率大约为每秒每分钟5000至15000转。13.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之扩展步骤历时约0至4秒。14.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之中速大约为每分钟1700至5000转。15.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之高速大于该中速每分钟0至2000转。16.如申请专利范围第9项之方法,于该中速旋转后,其中位于上述纯晶片外围之该光阻厚度大约为7000至30000埃。17.如申请专利范围第9项之方法,于该中速旋转步骤后,位于上述纯晶片中央之该光阻厚度较该纯晶片外围之该光阻厚度约小50至500埃。18.一种光阻涂布方法,系用以将一光阻涂布于一半导体晶片上,该方法包含:注入该光阻于该晶片的一部份上,该晶片系由一旋转台所支撑且该晶片以一低速旋转;以一高速旋转该晶片使该光阻扩展于该晶片上,其历时约0至4秒;及以一中速旋转该晶片使该光阻平坦化,该中速大约为每分钟1700至5000转,该中速大于该低速且该中速较该高速小约每分钟0至2000转。19.如申请专利范围第18项之方法,其中上述注入之光阻温度大约为20.2至22.7C。20.如申请专利范围第18项之方法,更包含施以一加速力于该晶片上,以使得该晶片从该低速变为该高速。21.如申请专利范围第20项之方法,其中上述加速力之速率大约为每秒每分钟5000至15000转。22.如申请专利范围第18项之方法,于该平坦化步骤后,其中上述光阻之厚度大约为7000至30000埃。图示简单说明:第一A图显示使用传统方法以形成一光阻层于一纯晶片上。第一B图显示使用传统方法以形成一非均匀光阻层于一具元件晶片上。第二A至二D图显示传统涂布光阻于一具元件晶片上之两种方法。第三A至三C图显示本发明涂布光阻于一纯晶片上之方法。第四图显示本发明各步骤之旋转速度。第五A至五C图显示本发明涂布光阻于一具元件晶片上之方法。 |
