| 主权项 |
1.一种回收挡片(Dummy wafer)、控片(Monitor wafer)、填片(Fillerwafer)的方法,包含下列步骤:进行预洗(Preclean)挡片、控片、或填片,其中该挡片、该控片、或该填片系为空白矽晶片(Bare silicon);形成一保护薄膜(Passivation film)于该挡片、该控片、或该填片上;进行半导体制程反应于该挡片、该控片、或该填片上,其中该半导体制程反应发生于高温炉管中,其中该半导体制程反应沉积生成物于该挡片、该控片、或该填片上;进行第一次清洗该挡片、该控片、或该填片以去除该半导体制程反应沉积之该生成物;以及测试该保护薄膜(Passivation film)的厚度。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中测试上述之保护薄膜(Passivation film)的厚度为500埃以上时,更进一步包含重覆如申请专利范围第1项所述之方法之第三、四、五步骤:进行上述之半导体制程反应于上述之挡片、上述之控片、或上述之填片上,其中该半导体制程反应发生于上述之高温炉管中;进行上述之第一次清洗该挡片、该控片、或该填片;以及测试该保护薄膜(Passivation film)的厚度。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中测试上述之保护薄膜(Passivation film)的厚度为500埃以下时更进一步包含去除上述之保护薄膜(Passivation film)的步骤。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中去除上述之保护薄膜(Passivation film)的步骤包含使用氢氟酸溶液洗去该保护薄膜。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之氢氟酸溶液的浓度约为40%-50%。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之预洗(Preclean)上述之挡片、上述之控片、或上述之填片的步骤包含:浸泡上述之挡片、上述之控片、或上述之填片于第一混合溶液中;去除该第一混合溶液;浸泡上述之挡片、上述之控片、或上述之填片于稀氢氟酸(Dilute HF)水溶液中;去除该稀氢氟酸水溶液;浸泡上述之挡片、上述之控片、或上述之填片于第二混合溶液中;去除该第二混合溶液;浸泡上述之挡片、上述之控片、或上述之填片于第三混合溶液中;去除该第三混合溶液;以及除湿乾燥上述之挡片、上述之控片、或上述之填片。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之第一混合溶液包含H2SO4及H2O2溶液。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之H2SO4及H2O2溶液的混合比例约为4:1。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之第一混合溶液的温度范围约摄氏100-150度之范围。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之稀氢氟酸(DHF)水溶液的混合比例约为10:1-100:1。11.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之稀氢氟酸水溶液的温度范围约摄氏20-30度之范围。12.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之第二混合溶液包含NH4OH、H2O2及去离子纯水溶液。13.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之第二混合溶液的温度范围约摄氏50-80度之范围。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之NH4OH、H2O2及去离子纯水溶液的混合比例约为1:1:5。15.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之第三混合溶液包含HCl、H2O2及去离子纯水溶液。16.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之第三混合溶液的温度范围约摄氏50-80度之范围。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之HCl、H2O2及去离子纯水溶液的混合比例约为1:1:5。18.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之除湿乾燥步骤包含使用旋乾机高速脱水乾燥。19.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之去除该第一混合溶液系使用去离子纯水以润湿(rise)方式清洗。20.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之去除稀氢氟酸(DHF)水溶液系使用去离子纯水以润湿(rise)方式清洗。21.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之去除该第二混合溶液系使用去离子纯水以润湿(rise)方式清洗。22.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之去除该第三混合溶液系使用去离子纯水以润湿(rise)方式清洗。23.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之去除该第四混合溶液系使用去离子纯水以润湿(rise)方式清洗。24.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之保护薄膜包含氮化矽薄膜、化学气相沉积法(CVD)所沉积之氧化薄膜、或旋转式玻璃(SOG)薄膜。25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中上述之保护薄膜的厚度约为1000-3000埃。26.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之半导体制程反应包含搀杂氧化反应(doped oxidation)、未搀杂氧化反应(Undoped oxidation)、或扩散反应(Diffusion)。27.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之半导体制程反应包含金属溅镀(Metal sputter)反应、低压化学气相沉积复晶矽层反应(LPCVDPolysilicon deposition)、或沉积含硼磷的硼磷矽玻璃及磷矽玻璃反应(Phosdeposition)。28.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之进行第一次清洗的步骤包含使用氢氟酸水溶液清洗。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中上述之氢氟酸溶液的浓度约为40%-50%。30.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之进行第一次清洗的步骤包含使用氢氟酸、硝酸、及去离子纯水溶液。31.如申请专利范围第30项所述之方法,其中上述之氢氟酸、硝酸、及去离子纯水溶液的混合比例约为3:5:1。32.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之进行第一次清洗的步骤包含使用SPM(Sulfuric acid peroxidemixing)之混合溶液清洗。33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中该SPM(Sulfuric acidperoxide mixing)之混合溶液包含H2SO4.H2O2的混合溶液。34.如申请专利范围第32项所述之方法,其中上述之H2SO4、H2O2的溶液混合比率系为4:1。35.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之进行第一次清洗的步骤包含使用APM(Amonia peroxide mixing)之混合溶液清洗。36.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该APM(Amonia peroxidemixing)之混合溶液包含NH4OH、H2O2.及H2O的混合溶液。37.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之NH4OH、H2O2.及H2O的溶液混合比率系为1:1:5。图示简单说明:第一图所示为挡片(Dummy wafer)、控片(Monitorwafer)、填片(Filler wafer)在高温炉管(Furnace)中的所在位置剖面图。第二图与第三图所示为本发明回收挡片(Dummy wafer)、控片(Monitorwafer)、及填片(Filler wafer)的方法较佳实施例的流程图。第四图所示为本发明回收方法中晶片进行预洗的步骤流程图。 |
