| 主权项 |
1.一种双重多晶矽化金属闸极,该双重多晶矽化金属闸极位于一半导体基底上,该半导体基底已形成有一场氧化层,该双重多晶矽化金属闸极包括:一N型多晶矽层与一P型多晶矽层位于该半导体基底上;一氮矽化钨层覆盖该N型多晶矽层与该P型多晶矽层;以及一第二矽化钨层覆盖该氮矽化钨层。2.如申请专利范围第1项所述之双重多晶矽化金属闸极,其中该氮矽化钨层之厚度约为50-500A。3.如申请专利范围第1项所述之双重多晶矽化金属闸极,其中该N型多晶矽层系为植入砷离子。4.如申请专利范围第1项所述之双重多晶矽化金属闸极,其中该P型多晶矽层系为植入硼离子。5.一种双重多晶矽化金属闸极之制造方法,包括下列步骤:a.提供一半导体基底,该半导体基底上已形成有一场氧化层;b.形成一P型多晶矽层与一N型多晶矽层于该半导体基底上;c.形成一氮矽化钨层覆盖该N型多晶矽层与该P型多晶矽层;以及d.形成第二矽化钨层覆盖该氮矽化钨层。6.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤b中形成该P型多晶矽层与该N型多晶矽层之方法,包括下列步骤:沈积一多晶矽层于该半导体基底上,该沈积法系为低压化学气相沈积法;上一第一光阻覆盖该多晶矽层之特定区域;植入P型离子于该多晶矽层中以形成该P型多晶矽层;去除该第一光阻;上一第二光阻覆盖该多晶矽层之特定区域;以及植入N型离子于该多晶矽层中以形成该N型多晶矽层。7.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤c与步骤d中形成该氮矽化钨层与该第二矽化钨层的方法,包括下列步骤:形成一第一矽化钨层覆盖该P型多晶矽层与该N型多晶矽层;以离子布植法植入氮气于该第一矽化钨层与该P型多晶矽层、该第一矽化钨层与该N型多晶矽层之界面;以后续之热处理制程使该第一矽化钨层与该P型多晶矽层、该第一矽化钨层与该N型多晶矽层之界面形成该氮矽化钨层;以及使该第一矽化钨层形成该第二矽化钨层。8.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤c中形成该氮矽化钨层的方法,包括下列步骤:形成一第一矽化钨层覆盖该P型多晶矽层与该N型多晶矽层;以及进行快速加热制程并加入氨气以使该第一矽化钨层形成该氮矽化钨层。9.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤c中形成该氮矽化钨层的方法,包括下列步骤:形成一钨层覆盖该P型多晶矽层与该N型多晶矽层;以及进行快速加热制程并加入氨气以使该钨层形成该氮矽化钨层。10.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤c中形成该氮矽化钨层的方法,包括下列步骤:形成一第一矽化钨层覆盖该P型多晶矽层与该N型多晶矽层;以及进行快速加热制程并加入氮气以使该第一矽化钨层形成该氮矽化钨层。11.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤c中形成该氮矽化钨层的方法,包括下列步骤:形成一钨层覆盖该P型多晶矽层与该N型多晶矽层;以及进行快速加热制程并加入氮气以使该钨层形成该氮矽化钨层。12.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤c中该氮矽化钨层之厚度约为50-500A。13.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤d中形成该第二矽化钨层的方法系为低压化学气相沈积法。14.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤b中该N型多晶矽层系为植入砷离子。15.如申请专利范围第5项所述之双重多晶矽化金属闸极之制造方法,其中在步骤b中该P型多晶矽层系为植入硼离子。图示简单说明:第一A图-一D图系绘示习知双重多晶矽化金属闸极的制造流程剖面图;第二A图-二C图系绘示依照本发明实施例的一种双重多晶矽化金属闸极的制造流程剖面图;第三A图-三C图系绘示依照本发明实施例的一种双重多晶矽化金属闸极的制造流程剖面图;以及第四A图-四B图系绘示依照本发明实施例的一种双重多晶矽化金属闸极的制造流程剖面图。 |
