| 主权项 |
1.一种具有静电放电保护功能之封环结构,适用于一第一型导电性之半导体基板上方,该半导体基板系受一第一电源偏压;该封环结构包括:一第二型导电性之杂质扩散区,位于该半导体基板表面;一金属层,与该第二型导电性之杂质扩散区电性连接,并接受一第二电源偏压;以及一介电层覆盖该金属层。2.如申请专利范围第1项所述之封环结构更包括位于该半导体基板中之一第二型导电性井区。3.如申请专利范围第1项所述之封环结构,其中,该井区之范围完全涵盖该金属与该杂质扩散区之电性连接部位。4.如申请专利范围第1项所述之封环结构,其中,该第一型导电性为P型导电性,该第二型导电性为n型导电性。5.如申请专利范围第1项所述之封环结构,其中,该第一型导电性为n型导电性,该第二型导电性为P型导电性。6.如申请专利范围第1项所述之封环结构系具有一二极体电路于该第一电源与该第二电源之间。图示简单说明:第一图为一习知静电放电保护电路结构剖面示意图;第二图为第一图之等效电路图;第三图为一习知封环结构之剖面示意图;第四图为依照本发明之具有静电放电保护功能之封环结构示意图;第五图为本发明一实施例之剖面示意图;第六图为本发明另一实施例之剖面示意图;第七图为本发明又一实施例之剖面示意图;以及第八图为本发明再一实施例之剖面示意图。 |
