操作SRAM MOS电晶体记忆晶格之方法

摘要

记忆晶格含有具有回授之两个反相器(MN5,MP3；MN6, MP4)所组成之6-电晶体式记忆晶格，每一反相器都经由选择电晶体(MN1,MN2)而连接至位元线(BL,BLQ),选择电晶体(MN1,MN2)由字线(WL,WLS)来驱动。当写入资讯至记忆晶格时，两个选择电晶体都会导通。当读出晶格之内容时，只有第一选择电晶体(MN1)导通，另一选择电晶体(MN2)保持关闭(off)状态。以此方式，当进行读出程序时只有一条位元线(BL)上之电荷会改变。

主权项

1.一种操作SRAM MOS电晶体记忆晶格(SZ)之方法,其特征为包括:-由具有回授之反相器对(MN5,MP3:MN6,MP4)所组成之记忆元件(SPE),-第一选择电晶体(MN1),其连结至第一字线(WL)mbox且将第一反相器(MN5,MP3)之连接节点(A)连接至第一位元线(BL),-第二选择电晶体(MN2),其连接至第二字线(WL2)且将第二反相器(MN6,MP4)之连接节点(B)连接至第二位元线(BLQ)。当写入资讯至记忆元件(SPE)时,两个选择电晶体(MN1,MN2)都会导通,当读出记忆元件(SPE)之内容时,第一选择电晶体(MN1)导通,第二选择电晶体(MN2)则保持关闭状态。2.如申请专利范围第1项之方法,其中记忆晶格之供应电压VDD所设定之范围是|Vthmax|