| 主权项 |
1.一种积体电路中介电层之制造方法,用于一半导体基底之制程,该制造方法包括下列步骤:提供一矽基底;于该矽基底上,以一第一气体含量与一第一温度条件下形成一第一氮含量的氧化层;于该第一氮含量的氧化层之上,以一第二气体含量与一第二温度条件下,形成一第二氮含量的氧化层;于该第二氮含量的氧化层之上,以一第三气体含量与一第三温度条件下,形成一第三氮含量的氧化层;于该第三氮含量的氧化层之上,以一第四气体含量与一第四温度条件下,形成一第四氮含量的氧化层;以及于该第四氮含量的氧化层之上,以一第五气体含量与一第五温度条件下,形成一第五氮含量的氧化层,藉以使该第一氮含量的氧化层、该第二氮含量的氧化层、该第三氮含量的氧化层、该第四氮含量的氧化层与该第五氮含量的氧化层组合而成该介电层,其中该第一氮含量的氧化层的氮含量较邻近之氮含量较高,而且该第五氮含量的氧化层的氮含量亦较邻近之氮含量较高。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一气体含量、该第二气体含量、该第三气体含量、该第四气体含量与该第五气体含量中系包含有一含氮气体及一氧气。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该含氮气体系选自氧化氮、氧化亚氮与氨气三者之一。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一气体含量中之该含氮气体/该氧气混合比例约为70-90/10-30左右,且形成该第一氮含量氧化层之该第一温度为约950℃-1100℃左右。5.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第二气体含量中之该含氮气体/该氧气混合比例约为70-80/20-30左右,且形成该第二氮含量氧化层之该第二温度为约950℃-1050℃左右。6.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第三气体含量中之该含氮气体/该氧气混合比例约为10-20/80-90左右,且形成该第三氮含量的氧化层之该第三温度为约900℃-1000℃左右。7.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第四气体含量中之该含氮气体/该氧气混合比例约为70-80/20-30左右,且形成该第四氮含量氧化层之该第四温度为约950℃-1050℃左右。8.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第五气体含量中之该含氮气体/该氧气混合比例约为80-90/10-20左右,且形成该第五氮含量的氧化层之该第五温度为约950℃-1100℃左右。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第一氮含量的氧化层、该第二氮含量的氧化层、该第三氮含量的氧化层、该第四氮含量的氧化层与该第五氮含量的氧化层的方法为一快速热氧化法。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第一氮含量的氧化层、该第二氮含量的氧化层、该第三氮含量的氧化层、该第四氮含量的氧化层与该第五氮含量的氧化层的方法为一炉管氧化法。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第一氮含量的氧化层之方法,所形成该第一氮含量的氧化层之含氮浓度约为0.5%左右。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该第五氮含量的氧化层之方法,该第五氮含量的氧化层之含氮浓度约为15%左右。图式简单说明:第一图a为一正常电晶体进行硼离子掺杂时的剖面图;第一图b为E. Hasegawa的硼离子掺杂时的剖面图;第一图c为L.K. Han的硼离子掺杂时的剖面图;第一图d为H.S. Momose的硼离子掺杂时的剖面图;以及第二图本发明较佳实施例进行氮掺杂时的剖面图。 |
