| 主权项 |
1.一种装置,其包括:一晶片(211);一个包封晶片之树脂封装体(212),该树脂封装体具有位于树脂封装体之安装侧的树脂突伸物(217,217B),该树脂突伸物由安装侧表面向下延伸,并由树脂封装体之至少一侧表面向周缘延伸;分别供设至树脂突伸物之金属膜(213);以及电气连接晶片之电极垫与金属膜的连接零件(218)。2.如申请专利范围第1项之装置,其中,金属膜之各层为金属材质所制成之单一层(113A)。3.如申请专利范围第1项之装置,其中,金属膜之各层包括其等为叠层之许多金属层(113B-113D,213E-213G)。4.如申请专利范围第1项之装置,其中,连接零件分别包括接合线(218),其接合至电极垫与金属膜。5.如申请专利范围第1项之装置,其中,该连接零件分别包括接合线(218)以及分别供设于金属膜之接合球(101,245);且该接合线系接合至该电极垫与该接合球。6.如申请专利范围第1项之装置,其中,该树脂封装体为一模制封装体,如此,树脂突伸物可为一体成型。7.如申请专利范围第1项之装置,其中,该树脂突伸物(217)系由树脂封装体之多个侧面向周缘延伸。8.如申请专利范为第1项之装置,其中,该树脂突伸物(217B)系仅由树脂封装体之一侧面向周缘延伸。9.如申请专利范围第1项之装置,其更包括供设至树脂封装体(2120)之支撑元件(253),该支撑元件(253)支撑垂直装设于电路板之装置。10.一种装置,其包括:一晶片(211);一包封晶片之树脂封装体(212),该树脂封装体具由位于树脂封装体之安装侧之树脂突伸物(291A,291B),该树脂突伸物由安装侧表面向下延伸,且大致与树脂封装体之一侧表面等齐;分别供设至树脂突伸物之金属膜(290A,290B);以及电气连接晶片之电极垫与金属膜的连接零件(218)。11.如申请专利范围第10项之装置,其中,该树脂突伸物包括第一突伸物(291A),以及周缘长于第一突伸物之第二突伸物(291B),而使得第二突伸物延伸至晶片下方,以及该金属膜包含供设于第一突伸物之第一金属膜(290A)与供设于第二突伸物之第二金属膜(290B)。12.如申请专利范围第10项之装置,其更包括一个供设至该树脂封装体之安装侧之隔件(293),其中,当该装置被支撑在电路板上时,该隔件系与另一装置相接触,如此使得树脂封装体之该侧表面面对电路板。13.如申请专利范围第12项之装置,其中,该隔件系为一热辐射元件。14.一种制造各别具有被树脂封装体所包封之晶片的装置之方法,该方法包括:(a)形成具有一具有基板(121)之引线架(120),该基板具有分别含金属膜(113)之凹部(122);(b)于引线架上安装晶片(111);(c)提供电气连接该晶片之电极垫与金属膜之连接零件(118,101,163,245);(d)模化一树脂使得经模化树脂封装体分别覆盖由引线架所支撑之晶片与金属膜;(e)将引线架与模化树脂封装体分隔,并将金属膜供设至其为该凹部之对应部的树脂突伸物。15.如申请专利范围第14项之方法,其中,该步骤(e)包括一蚀刻引线架的步骤,藉此熔解该引线架。16.如申请专利范围第14项之方法,其中,该步骤(e)包括一机械分隔该引线架与模化树脂封装体的步骤。17.如申请专利范围第14项之方法,其更包括一个在步骤(e)进行前,将一铸带元件供设至模化树脂封装体的步骤。18.如申请专利范围第14项之方法,其步骤(c)包括一个将接合球供设至金属膜之第一步骤,以及将接合线接合至晶片之电极垫与该接合球之第二步骤,该接合球与该接合线相对应该连接零件。19.如申请专利范围第14项之方法,其步骤(d)模化树脂以将经模化树脂连接在一起。20.如申请专利范围第14项之方法,其步骤(d)模化树脂而使模化树脂封装体彼此相隔。21.一种装置,其包括:一晶片(311);一包封晶片之树脂封装体(314),该树脂封装体具有树脂封装体之一安装侧表面;分别供设至树脂封装体之金属膜(315),如此使得金属膜与安装侧表面齐平且由此曝露;电气连接该晶片之电极垫与金属膜之连接零件(313,101,342)。22.一种如申请专利范围第21项之装置,其中:该连接部件分别包括接合线(313)眼以及分别供设至金属膜之接合球(101);该接合线系接合至该电极垫与该接合球。23.一种如申请专利范围第21项之装置,其中,每一该金属膜供由金属物质所制成之单一层(315A)。24.一种如申请专利范围第21项之装置,其中:每一金属膜包括其为层叠之多金属层(315B-315D)。25.一种如申请专利范围第21项之装置,其中该连接部件分别包括供设置于晶片(311)之电极垫(312)与金属膜(315)间的突块(342)。26.一种制造分别具有被树脂封装体所包封之晶片之装置的方法,该方法包括:(a)形成一具有一基板(321)之引线架(320),该基板上形成金属膜(315);(b)于引线架上装设晶片(311);(c)提供用以电气连接该金属之电极垫与金属膜之连接部件;(d)模化一树脂,如此使得模化之树脂封装体分别覆盖以引线架支撑之晶片与金属膜;(e)分隔引线架与具金属膜之模化树脂封装体,如此以使晶片由模化树脂封装体之安装侧表面曝露。27.如申请专利范围第26项之方法,其中该步骤(e)更包括蚀刻该引线架藉此以溶解引线架的步骤。28.如申请专利范围第26项之方法,其中该步骤(e)包括一个将引线架与模化封装体及金属膜相隔之步骤。29.一种装置,其包括:一晶片(311);一包封晶片之树脂封装体(112,151,314),该树脂封装体具有位于树脂封装体上之树脂突伸部(117,154,318)的一安装侧表面;分别供设至树脂突伸部之金属膜(113,155,314);电气连接该晶片之电极垫与金属膜之连接零件(118,101,163,245,313,341,342),其中,该金属膜(315)分别具有引线部(3151),其为树脂封装体所包封且自晶片延伸;该连接部件包括接合至该引线部之接合线。30.一种如申请专利范围第29项之装置,其包括一被树脂封装体所包封之热幅射元件(340),该晶片供设置于该热幅射元件上。31.一种装置,其包括:一晶片(311);一包封晶片之树脂封装体(112,151,314),该树脂封装体具有树脂突伸部(117,154,318)之一安装侧表面;分别供设至树脂突伸部之金属膜(113,155,314);电气连接该晶片之电极垫与金属膜之连接部件(118,101,163,245,313,341,342),其中,该金属膜(315)分别具有供设置晶片(311)之电极垫(312)与该金属膜(315)之突块(342)。32.一种装置,其包括:一晶片(311);一包封晶片之树脂封装体(112,151,314),该树脂封装体具有位于树脂封装体之树脂突伸部(117,154,318)上的一个安装侧表面;分别供设至树脂突伸部之金属膜(113,155,314);电气连接该晶片之电极垫与金属膜之连接部件(118,101,163,245,313,341,342),其中,该金属膜(315)分别具有引线部(3151),其为树脂封装体所包封且自晶片延伸;该连接部件包括供设置于晶片(311)之电极垫(312)与该金属膜(315)之间的突块(342)。33.一种装置,其包括:一晶片(311);一包封晶片之树脂封装体(112,151,314),该树脂封装体具有位于树脂封装体之树脂突伸部(117,154,318)上的一个安装侧表面;分别供设至树脂突伸部之金属膜(113,155,314);电气连接该晶片之电极垫与金属膜之连接部件(118,101,163,245,313,341,342),其中,该金属膜(315)分别具有引线部(3151),其为树脂封装体所包封且自晶片延伸,该引线部(3151)具有凹部(343);该连接部件包括突块(342),该突块系位于该凹部(343)中且供设置于晶片(311)之电极垫(312)与该金属膜(315)之引线部(3151)之间的突块(342)。34.一种如申请专利范围第33项之装置,其中晶片(311)之背面相对于电极垫所被设置之表面,该背面系供设以由相对于其安装表面之树脂封装体的表面而曝露。35.如申请专利范围第34项之一种装置,其更包括一个附接于晶片之背面的热辐射元件。36.如申请专利范围第31项之一种装置,其包括一个供设置于其上设有电极垫之晶片表面之隔热元件。37.如申请专利范围第31项之一种装置,其中,该连接部件包括一个特定压力下所结合之电导树脂的导电物件(348)。图式简单说明:第一图A为传统SSOP型半导体装置之截面图;第一图B为第一图A所示之半导体装置的底视图;第一图C为第一图A所示之半导体装置的顶视图;第二图为传统BGA型半导体装置之截面图;第三图为本发明第一实施例之半导体装置的截面图;第四图为制造第三图所示半导体装置的步骤之侧视图;第五图为用以制造本发明第一实施例之半导体装置之引线架的平面图;第六图为显示制造第三图所示半导体装置之方法中另一步骤的截面图;第七图为当第六图所示之步骤完成后观察得到之树脂封装体的底视图;第八图为本发明第二实施例半导体装置之截面图;第九图为用于第八图所示半导体装置之树脂封装体的放大透视图;第十图为用于第八图所示半导体装置之另一树脂突伸部的放大透视图;第十一图为一显示本发明第二实施例半导体装置之制造方法之步骤的截面图;第十二图为一截面图,其显示本发明第二实施半导体装置制造方法之另一步骤;第十三图为第十二图所示步骤完成后之封装体的底视图;第十四图为本发明第三实施例之半导体装置的截面图;第十五图为用于本发明第三实施例半导体装置之树脂封装体的放大透视图;第十六图为一侧视图,其显示本发明第三实施例半导体装置制造方法的步骤;第十七图为一平面图,其显示用以制造本发明第三实施例之半导体装置的引线架;第十八图为一截面图,其显示本发明第三实施例半导体装置之制造方法的另一步骤;第十九图为本发明第四实施例之半导体装置的截面图;第二十图为一侧视图,其显示制造第十九图半导体装置方法之一步骤;第二十一图为本发明第五实施例半导体装置之截面图;第二十二图为本发明第六实施例半导体装置之截面图;第二十三图为第二十二图所示半导体装置制造方法之步骤的截面图;第二十四图为本发明第七实施例半导体装置之一截面图;第二十五图为用以制造本发明第八实施例半导体装置之引线架的平面图;第二十六图为用以制造第二十四图所示半导体装置之另一引线架的平面图;第二十七图为本发明第八实施例半导体装置制造方法之一步骤的截面图;第二十八图为本发明第八实施例半导体装置之截面图;第二十九图为本发明第九实施例半导体装置之截面图;第三十图为用以制造本发明第九实施例半导体装置之引线架的平面图;第三十一图为第三十图所示引线架之截面图;第三十二图为本发明第十实施例半导体装置之截面图;第三十三图为本发明第十实施例半导体之底视图;第三十四图为本发明第十实施例半导体装置之平面图,其系透过树脂封装体来观察内部部件;第三十五图为具有单层结构金属膜之截面图;第三十六图为具有两层结构金属膜之截面图;第三十七图为具有三层结构金属膜之截面图;第三十八图为具有四层结构金属膜之截面图;第三十九图为本发明第十实施例半导体装置制造方法之光阻生成步骤的截面图;第四十图为本发明第十实施例半导体装置制造方法之光阻图样生成步骤的截面图;第四十一图为本发明第十实施例半导体装置制造方法之蚀刻步骤的截面图;第四十二图A为一平面图,其说明引线架中所形成之电源供应部;第四十二图B为延第四十二图A中A-A线所得之截面图;第四十三图为一可用于本发明第十实施例半导体装置制造方法中之引线架的平面图;第四十四图为一截面图,其显示本发明第十实施例半导体装置制造方法之金属膜生成步骤;第四十五图为完成引线架之截面图;第四十六图为本发明第十实施例半导体装置制造方法之晶片安装步骤的截面图;第四十七图为本发明第十实施例半导体装置制造方法之连接步骤的截面图;第四十八图为第四十七图所示连接步骤之变化的截面图;第四十九图为本发明第十实施例半导体装置制造方法之封装步骤的平面图;第五十图为当封装步骤完成时所观察之引线架的截面图;第五十一图A为当封装步骤完成时所观察之引线架的平面图;第五十一图B为当封装步骤完成时所观察之引线架的侧视图;第五十二图A为本发明第十实施例半导体装置制造方法中之铸带安装步骤的平视图;第五十二图B为本发明第十实施例半导体装置制造方法中之铸带安装步骤的侧视图;第五十三图为本发明第十实施例半导体装置制造方法中分隔步骤的截面图;第五十四图A为当封装步骤完成所观察之半导体装置平面图;第五十四图B为当封装步骤完成所观察之半导体装置侧视图;第五十五图A为一平面图,其显示本发明第十实施例半导体装置制造方法之封装步骤的第一变化;第五十五图B为一平面图,其显示本发明第十实施例半导体装置制造方法中封装步骤之第二变化;第五十五图C为一平面图,其显示本发明第十实施例半导体装置制造方法中封装步骤之第三变化;第五十六图是当第五十五图A所示引线架之铸带步骤完成后所观察之一平面图;第五十七图A为一平面图,其显示本发明第十实施例半导体装置制造方法中封装步骤之第四变化;第五十七图B为一侧视图,其显示本发明第十实施例半导体装置制造方法中封装步骤之第四变化;第五十八图为当第五十七图A与第五十七图B所示之第四变化完成后,我观察得到之截面图;第五十九图为本发明半导体装置制造方法中另一分隔步骤之截面图;第六十图为本发明第十一实施例半导体装置之截面图;第六十一图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中金属基底成形步骤;第六十二图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中抗阻成形步骤;第六十三图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中半蚀刻步骤;第六十四图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中种镀步骤;第六十五图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中抗阻移除步骤;第六十六图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中光感树脂涂覆步骤;第六十七图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中穿孔成形步骤;第六十八图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中种镀步骤;第六十九图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中抗阻成形步骤;第七十图为一截面图,其显示本发明第十一实施例半导体装置制造方法中蚀刻与抗阻移除步骤;第七十一图为本发明第十二实施例半导体装置之截面图;第七十二图为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中金属基底成形步骤;第七十三为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中抗阻成形步骤;第七十四图为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中半蚀刻步骤;第七十五图为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中半蚀刻步骤;第七十六图为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中抗阻移除步骤;第七十七图为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中光感树脂涂覆步骤;第七十八图为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中视窗成形步骤;第七十九图为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中种镀步骤;第八十图为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中抗阻成形步骤;第八十一图为一截面图,其显示本发明第十二实施例半导体装置制造方法中蚀刻与抗阻移除步骤;第八十二图为本发明第十三实施例半导体装置之截面图;第八十三图为本发明第十四实施例半导体装置之截面图;第八十四图A为第八十三图中所示之半导体装置之平面图;第八十四图B为第八十三图中所示之半导体装置之侧视图;第八十四图C为第八十三图中所示之半导体装置之底视图;第八十五图为本发明第十四实施例半导体装置之截面图,其中,该装置系装设于电路板上;第八十六图为一个具有五层结构之金属膜的截面图;第八十七图为一个具有六层结构之金属膜的截面图;第八十八图为一个具有七层结构之金属膜的截面图;第八十九图A、第八十九图B、第八十九图C、第八十九图D及第八十九图E分别为显示不同连接步骤的截面图;第九十图A、第九十图B、第九十图C、第九十图D、第九十图E、第九十图F、第九十图G与第九十图I分别为显示螺柱突块成形方法的侧视图;第九十一图为用于成模步骤中模具之截面图;第九十二图为成模步骤甲所用模具之横截面图;第九十三图为当包封步骤完成后所观察之引线架的截面图;第九十四图为显示分隔步骤变化之侧视图;第九十五图为显示分隔步骤另一变化之截面图;第九十六图为显示引线架中所形成之穿孔的截面图;第九十七图为显示流道引线架中所形成之穿孔的放大远视图;第九十八图A、第九十八图B分别为显示流道架中所形成之放大平面图;第九十九图A、第九十九图B与第九十九图C分别为显示分隔步骤之其它变化截面图;第一○○图A为显示流道架中所形成之分隔槽的侧视图;第一○○图B为第一○○图A所示之分隔槽的平面图;第一○一图为显示流道架中所形成之分隔槽的放大远视图;第一○二图A、第一○二图B、第一○二图C、第一○二图D及第一○二图E分别为显示其它分隔步骤之截面图;第一○三图A与第一○三图B分别为显示封装步骤之截面图;第一○四图为本发明第十五实施例半导体装置之截面图;第一○五图为本发明第十六实施例半导体装置之底视图;第一○六图为第一○五图所示之半导体装置之截面图,其中装置是装设于电路板上;第一○七图为本发明第十七实施例半导体装置之截面图;第一○八图为第一○七图所示之半导体装置之底视图;第一○九图为第一○七图所示之半导体装置之平面图,其中透过其封装观察其内部件;第一一○图为本发明第十八实施例半导体装置之截面图;第一一一图为第一一○图所示之半导体装置之底视图;第一一二图为本发明第十八实施例安装于电路板之半导体装置的截面图;第一一三图为不同于第一一二图所示者之装设的截面图;第一一四图为不同于第一一二图与第一一三图所示者之装设的截面图,其中,半导体装置系斜置于电路板上;第一一五图本发明第十八实施例中安装于电路板之半导体装置的截面图;第一一六图为本发明第十九实施例半导体装置之截面图;第一一七图为第一○七图所示之半导体装置之顶视图,其中透过其封装观察其内部件;第一一八图具有单一层结构之金属膜的截面图;第一一九图具有二层结构之金属膜的截面图;第一二○图具有三层结构之金属膜的截面图;第一二一图具有四层结构之金属膜的截面图;第一二二图为显示本发明第十九实施例半导体装置制造方法中抗阻成形步骤的截面图;第一二三图为显示本发明第十九实施例半导体装置制造方法中抗阻图样成形步骤的截面图;第一二四图为显示本发明第十九实施例半导体装置制造方法中金属膜成形步骤的截面图;第一二五图为完成引线架之截面图;第一二六图为显示本发明第十九实施例半导体装置制造方法中晶片安装步骤的截面图;第一二七图为显示本发明第十九实施例半导体装置制造方法中连接步骤的截面图;第一二八图为第一二三图所示连接步骤之一变化的截面图;第一二九图为当封装步骤完成后,观察所得之引线架的截面图;第一三○图为显示本发明第十九实施例半导体装置制造方法中分隔步骤的截面图;第一三一图为第一三○图所示分隔步骤之一变化的截面图;第一三二图A为本发明第二十实施例半导体装置的截面图;第一三二图B为第一三二图A所示半导体装置的顶视图,其中,透过树脂封装体观察内部件;第一三三图为本发明第二十一实施例半导体装置的截面图;第一三四图为本发明第二十二实施例半导体装置的截面图;第一三五图为本发明第二十三实施例半导体装置的截面图;第一三六图A为第一三三图所示半导体装置之一变化的截面图,其中,该装置所用之突块如第一三五图所用者;第一三六图B为第一三六图A所示结构之一变化的截面图;第一三七图A为第一三四图所示半导体装置之一变化的截面图,其中,该装置所用之突块如第一三五图所用者;第一三八图为第一三七图所示结构之一变化的截面图;第一三九图A为半导体装置之截面图,其中,热辐射元件系附接于第一三八图所示装置之晶片的曝露表面上;第一三九图B为半导体装置之截面图,其中,具有鳍状物之热辐射元件系附接于第一三八图所示装置之晶片的曝露表面上;第一四○图为半导体装置之截面图,其中,绝缘元件系供设置在第一三八图所示之装置上;第一四一图A、第一四一图B与第一四一图C分别为其中有使用异向电导树脂之半导体装置的截面图。 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