积体电路平坦化制程之研磨垫及其制造方法

摘要

本发明揭示积体电路中一平坦化制程的混合式研磨垫，周以改善研磨之平坦性、速度与研磨垫的寿命。本发明利用混合技术来形成此混合式研磨垫，其中此混合式研磨垫为一多相研磨垫，所有混合技术都在本发明范围之中。此混合式研磨垫之结构包含有：一圆形垫片，其中此圆形垫片包含有一第一研磨垫与一第二研磨垫，其中第一研磨垫的材质较第二研磨垫的材质硬，而且此第一研磨垫与此第二研磨垫之图案可为二分之一对等、等距方格、四分之一对等、八分之一对等或同圆心环。

主权项

1.一种积体电路平坦化制程之研磨垫,该研磨垫之结构包括:一圆形垫片;该圆形垫片包含有一第一研磨垫与一第二研磨垫,其中该第一研磨垫的材质较该第二研磨垫的材质硬。2.如申请专利范围第1项所述之积体电路平坦化制程之研磨垫,其中该第一研磨垫为一聚合物。3.如申请专利范围第1项所述之积体电路平坦化制程之研磨垫,其中该第一研磨垫之材质为一族群所自由选择组合而成,而该族群系由聚氨基甲酸酯(Poly Urethanes;PU)、聚氯乙烯(Poly Vinyl Chloride;PVC)或是聚乙烯醇(Poly Vinyl Alcohol;PVA)所组成。4.如申请专利范围第1项所述之积体电路平坦化制程之研磨垫,其中该第二研磨垫为一聚合物。5.如申请专利范围第1项所述之积体电路平坦化制程之研磨垫,其中该第二研磨垫之材质为一族群所自由选择组合而成,而该族群系由聚氨基甲酸酯(Poly Urethanes;PU)、聚氯乙烯(Poly Vinyl Chloride;PVC)或是聚乙烯醇(Poly Vinyl Alcohol;PVA)所组成。6.如申请专利范围第1项所述之积体电路平坦化制程之研磨垫,其中剪切该第一研磨垫与该第二研磨垫之该图案为一族群所自由选择而成,该族群系由一二分之一对等、一等距方格、一四分之一对等、一八分之一对等、一同圆心环所组成。7.一种研磨垫的制造方法,包括:提供一第一研磨垫;对该第一研磨垫进行一剪切法;提供一第二研磨垫,该第一研磨垫的材质较该第二研磨垫的材质硬;对该第二研磨垫进行该剪切法,其中进行该剪切法乃是依照一图案进行;以及将已经剪切之该第一研磨垫与该第二研磨垫沾黏成一圆形完整的研磨垫。8.如申请专利范围第7项所述之研磨垫的制造方法,其中该第一研磨垫为一聚合物。9.如申请专利范围第7项所述之研磨垫的制造方法,其中该第一研磨垫之材质为一族群所自由选择组合而成,而该族群系由聚氨基甲酸酯(Poly Urethanes;PU)、聚氯乙烯(Poly Vinyl Chloride;PVC)或是聚乙烯醇(Poly VinylAlcohol;PVA)所组成。10.如申请专利范围第7项所述之研磨垫的制造方法,其中该第二研磨垫为一聚合物。11.如申请专利范围第7项所述之研磨垫的制造方法,其中该第二研磨垫之材质为一族群所自由选择组合而成,而该族群系由聚氨基甲酸酯(Poly Urethanes;PU)、聚氯乙烯(Poly Vinyl Chloride;PVC)或是聚乙烯醇(Poly VinylAlcohol;PVA)所组成。12.如申请专利范围第7项所述之研磨垫的制造方法,其中剪切该第一研磨垫与该第二研磨垫之该图案为一族群所自由选择而成,该族群系由一二分之一对等、一等距方格、一四分之一对等、一八分之一对等、一同圆心环所组成。图式简单说明:第一图a至第一图b所示为积体电路制程中的平坦化制程;第二图a至第二图b所示为化学机械研磨法之硬体设备;以及第三图a至第三图d所示为本发明之研磨垫制造步骤与所形成的各式之混合式研磨垫。