| 主权项 |
1.一种电容之制造方法,包括下列步骤:形成一导体层于一半导体基底上,用以连接该半导体基底中一电晶体之一源/汲极区;形成一半球型矽晶粒层覆盖该导体层;以一离子布植法植入复数个离子于该半球型矽晶粒层中;进行一热处理制程,使该些离子形成一阻障层于该半球型矽晶粒层上;进行一湿蚀刻制程,用以清洗该阻障层之表面;形成一介电层覆盖该阻障层;以及形成一上电极覆盖该介电层。2.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中进行该湿蚀刻制程的步骤之后与形成该介电层的步骤之前,更包括进行一快速加热制程。3.如申请专利范围第2项所述之电容之制造方法,其中该快速加热制程中,包括通入氮气。4.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中形成该导体层之方法,包括低压化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中形成该半球型矽晶粒层之方法,包括低压化学气相沈积法。6.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该离子布植法之能量约为10-30KeV。7.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该些离子之浓度约为51014-51015(l/cm2)。8.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该些离子包括氮离子。9.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该热处理制程包括一快速加热制程。10.如申请专利范围第9项所述之电容之制造方法,其中该快速加热制程,包括通入氧化氮气体。11.如申请专利范围第9项所述之电容之制造方法,其中该快速加热制程,包括通入氧气。12.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该湿蚀刻制程中,包括使用稀释的氢氟酸溶液。13.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中形成该介电层的方法,包括低压化学气相沈积法。14.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中形成该介电层的温度约为700℃-950℃。15.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中形成该上电极的方法,包括溅镀法。16.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该介电层之材质包括氧化钽。17.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该上电极之材质包括氮化钛。18.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该导体层之材质包括已掺杂离子的多晶矽。19.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该些离子包括氮离子。20.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该阻障层之材质包括氮氧化矽。21.如申请专利范围第1项所述之电容之制造方法,其中该阻障层之材质包括氮化矽。22.一种电容之制造方法,包括下列步骤:形成一导体层于一半导体基底上,用以连接该半导体基底中一电晶体之一源/汲极区;以一离子布植法植入复数个离子于该导体层中;进行一热处理制程,使该些离子形成一阻障层于该导体层上;进行一湿蚀刻制程,用以清洗该阻障层之表面;形成一介电层覆盖该阻障层;以及形成一上电极覆盖该介电层。23.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该湿蚀刻制程的步骤之后与形成该介电层的步骤之前,更包括进行一快速加热制程。24.如申请专利范围第23项所述之电容之制造方法,其中该快速加热制程中,包括通入氮气。25.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中形成该导体层之方法,包括低压化学气相沈积法。26.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该离子布植法之能量约为10-30KeV。27.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该些离子之浓度约为51014-51015(l/cm2)。28.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该些离子包括氮离子。29.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该热处理制程包括一快速加热制程。30.如申请专利范围第29项所述之电容之制造方法,其中该快速加热制程,包括通入氧化氮气体。31.如申请专利范围第29项所述之电容之制造方法,其中该快速加热制程,包括通入氧气。32.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该湿蚀刻制程中,包括使用稀释的氢氟酸溶液。33.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中形成该介电层的方法,包括低压化学气相沈积法。34.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中形成该介电层的温度约为700℃-950℃。35.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中形成该上电极的方法,包括溅镀法。36.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该介电层之材质包括氧化钽。37.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该上电极之材质包括氮化钛。38.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该导体层之材质包括已掺杂离子的多晶矽。39.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该些离子包括氮离子。40.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该阻障层之材质包括氮氧化矽。41.如申请专利范围第22项所述之电容之制造方法,其中该阻障层之材质包括氮化矽。图式简单说明:第一图A-第一图D系绘示一种习知电容之制造流程剖面图;以及第二图A-第二图C系绘示依照本发明之一较佳实施例的一种电容之制造流程剖面图。 |
