发明名称 PROCEDE DE REALISATION D'INTERCONNEXIONS METALLIQUES DANS DES CIRCUITS INTEGRES
摘要 <P>L'invention concerne un procédé de formation de métallisations (36) remplissant, selon un contour choisi, l'épaisseur d'une couche diélectrique (38) en un matériau difficile à graver de façon définie, cette couche diélectrique étant formée sur un support (31), comprenant les étapes consistant à former sur le support (31) une couche sacrificielle (32) ayant l'épaisseur souhaitée pour la couche dudit matériau; ouvrir la couche sacrificielle selon ledit contour; former des métallisations (36) dans les ouvertures; éliminer la couche sacrificielle; et déposer une couche (37) dudit matériau sur une épaisseur au moins égale à celle des motifs métalliques.</P>
申请公布号 FR2771854(A1) 申请公布日期 1999.06.04
申请号 FR19970015335 申请日期 1997.11.28
申请人 SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA 发明人 GAYET PHILIPPE
分类号 H01L21/768;(IPC1-7):H01L23/528 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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