| 主权项 |
1.一种多层旋涂式材料之结构,包含:一第一层旋涂式材料,形成于一基材上,用以填补该基材表面之凹处;以及一第二层旋涂式材料,形成于该基材上,而该第二层旋涂式材料之移除率(removal rate)比该第一层旋涂式材料高,以于一研磨法进行时,易于控制。2.如申请专利范围第1项所述之多层旋涂式材料之结构,其中该研磨法系为一化学机械研磨法(CMP,Chemical-Mechanical Polishing)。3.如申请专利范围第1项所述之多层旋涂式材料之结构,其中该第一层旋涂式材料系为一有机(Organic)旋涂式材料层。4.如申请专利范围第1项所述之多层旋涂式材料之结构,其中该第二层旋涂式材料系为一无机(Inorganic)旋涂式材料层。5.如申请专利范围第1项所述之多层旋涂式材料之结构,其中该旋涂式材料系为一旋涂式玻璃(SOG)。6.如申请专利范围第1项所述之多层旋涂式材料之结构,其中该基材系包含:一半导体基材;一金属层,位于该半导体基材上;以及一氧化层,以一化学气相沈积法形成于该金属层上。7.一种多层旋涂式材料之结构之制程,用以于一研磨法中,易于控制者,其包含下列步骤:提供一基材;形成一第一层旋涂式材料于该基材上,以填补该基材上之凹处;以及形成一第二层旋涂式材料于该第一层旋涂式材料上,其移除率(removal rate)比该第一层旋涂式材料高,以于进行该研磨法时,易于控制。8.如申请专利范围第7项所述之多层旋涂式材料之结构之制程,其中提供该基材系包含下列步骤:提供一半导体基材;形成一金属层于该半导体基材上;以及以一化学气相沈积法形成一氧化层于该金属层上。9.如申请专利范围第7项所述之多层旋涂式材料之结构之制程,其中形成该第一层旋涂式材料系为一有机(Organic)旋涂式材料层。10.如申请专利范围第7项所述之多层旋涂式材料之结构之制程,其中形成该第二层旋涂式材料系为一无机(Inorganic)旋涂式材料层。11.如申请专利范围第7项所述之多层旋涂式材料之结构之制程,其中该研磨法系为一化学机械研磨法(CMP)。12.如申请专利范围第7项所述之多层旋涂式材料之结构之制程,其中该旋涂式材料系为一旋涂式玻璃(SOG)。图式简单说明:第一图:习用平坦化之结构示意图。第二图:习用利用高斯分布植入离子浓度与深度的关系。第三图(a):成长金属层。第三图(b):化学气相沉积氧化层(CVDOxide),即本案应提供之基材。第三图(c):形成第一SOG在基材上。第三图(d):形成第二SOG在第一SOG上,以形成本案多层旋涂式材料之结构。第三图(e):以CMP研磨。第三图(f):最后再长一层CVD Oxide。 |
