| 主权项 |
1.一种半导体装置,系藉由接触孔而连接上层导电层4b及下层导电层3之半导体装置,其特征为具备有:具有表面之半导体基板1;及,被设置于该半导体基板1上之第1层间绝缘膜5b;及,被设置于该第1层间绝缘膜5b上之下层导电层3;及,被设置于该第1层间绝缘膜5b上而用以覆盖该下层导电层3之第2层间绝缘膜5c;及,被设置于该第2层间绝缘膜5c上之上层导电层4b;及,被设置于该第2层间绝缘膜5c中而用以连接该上层导电层4b及该下层导电层3的接触孔6b;及,被设置在该半导体基板1之表面和该下层导电层3之间,也就是在被设置该接触孔6b之下方位置上而由矽化物或者金属所形成之阻蔽层7。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该阻蔽层7系由WSi所形成的。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该阻蔽层7系由TiSi所形成的。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该阻蔽层7系由WSi/多晶矽之两层体所形成的。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该阻蔽层7系与该上层导电层4b为具有相同之电位。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该阻蔽层7系成为浮动的状态。图式简单说明:第一图系为本发明之实施形态之半导体装置的剖面图。第二图系为用以说明本发明之实施形态之半导体装置的效果之图式。第三图系为先前技术之半导体装置的剖面图。 |
