| 摘要 |
<p>Zur Herstellung von Antireflexions-Schichten von minimaler Restreflektivität für Halbleiterlaserdioden beobachtet man in situ das von der Frontfacette und/oder Rückfacette eines Lasers emittierte Laserlicht und bestimmt die Dicke einzelner Teilschichten anhand eines in situ beobachteten Laserparameters, insbesondere durch Vergleich mit einem theoretisch berechneten Zeitverlauf. Als Laserparameter kann die Leistung oder die Quanteneffizienz des vom Laser emittierten Lichts benutzt werden, wahlweise auch seine Wellenlänge, die elektrische Spannung am p-n-Übergang des Lasers oder sein Schwellstrom. Man kann mehrere Halbleiterdiodenlaser gleichzeitig in einen Rezipienten (1) einbringen und z.B. einen fertig konfektionierten Laser (3) als Monitorlaser einsetzen, während weitere Laser simultan bis zu einem Referenzwert mitbeschichtet werden, worauf jeder Laser (3) einzeln mit in-situ-Beobachtung der Teilschichtdicke optimiert wird. Nicht fertig konfektionierte Laser lassen sich in Chip- oder in Barrenform einbringen. Eine besonders geeignete Vorrichtung umfaßt außer der Beschichtungsquelle (2) mindestens eine bewegliche Laserhalterung (4) und/oder mindestens eine davor befindliche Blende 5, die während der Entspiegelung vor den betreffenden Laser (3) bewegbar ist. Dieser kann samt seiner Halterung (4) in eine Beschichtungskammer (14) überführt werden, neben der sich eine schwenk- und/oder verschiebbare Blendenhalterung (15) befindet. Die Laser (3) können ring- bzw. kreisförmig oder linear angeordnet sein. Zumindest einer ist im Rezipienten (1) elektrisch betreibbar und mittels einer Steuerungs- und Meßeinrichtung (9) auf wenigstens einen Laserparameter hin kontinuierlich oder diskret beobachtbar. Ein Schaltschrank kann eine Laser-Ansteuerung (901), eine Blendenregelung (921), eine Schichtkontrolle (941) und/oder eine Vakuumkontrolle (961) enthalten. Die Elektronik ist mit der Beschichtungsquelle (2), der Laserhalterung (4) und/oder der Blendenhalterung (15) betätigungsverbunden. <IMAGE></p> |
