| 摘要 |
相对于半导体材料和／或金属选择性去除二氧化矽之方法，包含步骤为：(a)将含SiO2的作业试样(1)，置入具有至少一气体进口(3)和气体出口(4)的承受器(2)内。(b)使用调节阀(5)，把定量的氟化氢气体和水蒸汽引入此承受器(2)内，使此气体达成对此试样内SiO2可侵蚀的充分量，惟此气体量限度为，在侵蚀过程中避免水蒸汽试样上凝结成液态水，(c)进行侵蚀过程(d)侵蚀中发生的反应生成物水蒸汽，在呈现凝结之前，即使气体出口除去，同时容许惰性气体经气体进口进入承受器内，(f)视需要重复步骤(b)至(d)。图。 |
