| 主权项 |
1.一种用以制备一外延涂层半导体晶圆(该半导体晶圆系由一具有一前面及一后面之单晶矽基体晶圆所构成,在该基体晶圆之前面上以外延方式沉积至少一层半导体材料)之方法,该方法包括下列诸加工步骤;a)藉无坩埚区带吊拉以制备稠密掺杂矽单晶体;b)自该单晶体以制备一具有抛光前面之基体晶圆;c)于该基体晶圆之前面沉积至少一层半导体材料外延层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在单晶体之制备过程中该单晶体内系掺以磷及基晶内圆内掺质之浓度大于1.5*1018个原子/立方公分。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在单晶体之制备过程中系用氧将该单晶体加以污染,结果基体晶圆内氧之浓度为1*1016个至8*1017个原子/立方公分。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在基体晶圆之后面上覆以一具有外收取体功能之薄层。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在基体晶圆上以外延方式沉积至少一层矽,该矽层系掺以一种选自周期系统第ⅢA族或第VA族之元素。6.一种藉申请专利范围第1项之方法所制得之半导体晶圆。7.如申请专利范围第6项之半导体晶圆,该半导体晶圆系用作制备电子电源开关、高反电压二极体及萧特基二极体之主材。 |
