| 主权项 |
1.一种SRAM埋入式接触窗的制造方法,该方法包括:提供一基底,该基底具有一元件隔离结构;于该基底上依序形成一氧化层、一第一导电层;定义该第一导电层,在一埋入式接触窗区形成一第一开口,以暴露出该基底之欲形成一埋入式接触窗区的表面;定义并对该埋入式接触窗区之相邻于欲形成一源极/汲极区的部份区域进行一第一离子植入步骤;形成一第二导电层,该第二导电层透过该第一开口与该基底电性连接;定义该第二导电层,形成一导线和一闸极,且在该导线和该闸极之间形成一第二开口,暴露出该源极/汲极区以及部份的该埋入式接触窗区上之被离子植入的区域表面;以及对该第二开口进行一第二离子植入步骤,形成一埋入式接触窗以及一源极/汲极。2.如申请专利范围第1项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该第一导电层包括多晶矽层。3.如申请专利范围第2项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该多晶矽层的形成方法包括用低压化学气相沈积法,该方法的沈积温度在575-650℃之间,反应气体为SiH4。4.如申请专利范围第1项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该第二导电层包括多晶矽层与矽化钨层。5.如申请专利范围第4项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该多晶矽层的形成方法包括用低压化学气相沈积法,该方法的沈积温度在575-650℃之间,反应气体为SiH4。6.如申请专利范围第4项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该矽化钨层的形成方法包括以低压化学气相沈积法,在300-400℃之下,以WF6和SiH4为反应气体来进行沈积。7.如申请专利范围第1项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,该第一离子植入步骤系植入一氧离子。8.如申请专利范围第7项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中被该氧离子植入之区域包括使用一雷射来进行局部加温,使其形成氧化矽。9.如申请专利范围第7项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中被该氧离子植入之区域包括利用形成第二导电层时所需的高温,使其形成氧化矽。10.一种SRAM埋入式接触窗的制造方法,应用一基底上,该基底具有一元件隔离结构并且于该基底上依序有一氧化层和一第一导电层,该方法包括:定义该第一导电层,在一埋入式接触窗区形成一第一开口,以暴露出该基底之欲形成一埋入式接触窗区的表面;定义并对该埋入式接触窗区之相邻于欲形成一源极/汲极区的部份区域进行一第一离子植入步骤;形成一第二导电层,该第二导电层透过该第一开口与该基底电性连接;以及定义该第二导电层,形成一导线和一闸极,且在该导线和该闸极之间形成一第二开口,暴露出该源极/汲极区以及部份的该埋入式接触窗区上之被离子植入的区域表面。11.如申请专利范围第10项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该第一导电层包括多晶矽层。12.如申请专利范围第11项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该多晶矽层的形成方法包括用低压化学气相沈积法,该方法的沈积温度在575-650℃之间,反应气体为SiH4。13.如申请专利范围第10项所述之SRAM中埋入式接触窗的制造方法,其中该第二导电层包括多晶矽层与矽化钨层。14.如申请专利范围第13项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该多晶矽层的形成方法包括用低压化学气相沈积法,该方法的沈积温度在575-650℃之间,反应气体为SiH4。15.如申请专利范围第13项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该矽化钨层的形成方法包括以低压化学气相沈积法,在300-400℃之下,以WF6和SiH4为反应气体来进行沈积。16.如申请专利范围第10项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,该第一离子植入步骤系植入一氧离子。17.如申请专利范围第16项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中被该氧离子植入之区域包括使用一雷射来进行局部加温,使其形成氧化矽。18.如申请专利范围第16项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中被该氧离子植入之区域包括利用形成第二导电层时所需的高温,使其形成氧化矽。19.如申请专利范围第7项所述之SRAM埋入式接触窗的制造方法,其中该方法更包括对该第二开口进行一第二离子植入步骤,形成一埋入式接触窗以及一源极/汲极。图式简单说明:第一图系显示一种典型的SRAM之单一记忆胞的电路结构图;第二图A至第二图C系绘示习知SRAM中埋入式接触窗之制造流程的剖面示意图;以及第三图A至第三图D系绘示根据本发明之一较佳实施例之一种SRAM中埋入式接触窗之制造流程的剖面示意图。 |
