| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为具备:热可塑性树脂所成的封装,及在该封装内部以所定长度分别配置有前端部侧,而且隔着所定间隔排设的第1引线框与第2引线框,及形成于上述第1与第2引线框之表面,且形成于从封装部之外部至内部全面的焊锡皮膜部,及搭载于上述第1引线框之前端部侧的半导体元件,及在该半导体元件之电极连接有其一端,另一端连接于上述第2引线框之前端部侧的接合线。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,上述焊锡皮膜部系在上述封装之内部侧形成至少0.5mm以上者。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,上述焊锡皮膜部系至少以20m之厚度所形成者。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,在搭载有上述第1引线框之上述半导体元件的前端部位周围及连接有第2引线框之上述接合线之另一端的前端部位周图形成有金属皮模部,上述焊锡皮膜部之上述封装的内部侧前端部与近接于该前端部之上述金属皮膜部之端部系隔着所定距离。5.如申请专利范围第4项所述之半导体装置,其中,上述所定间隔系至少0.3mm以上者。6.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中,具备在上述封装由上述热可塑性树脂之导入至封装成形金属模内所形成时,规制流进形成在上述第1引线框之前端部侧与上述第2引线框之前端部侧之间的间隙之上述热可塑性树脂之量的规制机构。7.如申请专利范围第1项至第6项中任何一项所述之半导体装置,其中上述半导体元件为光半导体元件。8.一种半导体装置制造方法,其特征为具备:在隔着所定间隔排设的第1及第2引线框之基端部侧的所定长度形成焊锡皮膜部的焊锡皮膜形成过程,及在上述第1引线框之前端部侧搭载半导体元件的接合过程,及以丝连接上述半导体元件之端子与上述第2引线框之前端部侧的接合过程,及以热可塑性树脂封闭上述第1与第2引线框之前端部侧及上述焊锡皮膜部之上述第1及第2引线框之前端部侧之所定长度的树脂封闭过程。图式简单说明:第一图表示本发明之第1实施形态之光半导体装置的侧面图。第二图系表示制造该装置之金属模具的图式,(a)系表示在下模上配置引线框之状态的平面图,(b)系表示以(a)之A-A切割之箭号方向观看金属模的剖面图。第三图系表示该光半导体装置之要部的剖面图。第四图系表示用以制造本发明之第2实施形态的光半导体装置所用之金属模中之下模上配置引线框之状态的平面图。第五图系表示用以制造本发明之第3实施形态的光半导体装置所用之金属模中之下模上配置引线框之状态的平面图。第六图系表示用以制造该实施形态之变形例的光半导体装置所用之金属模模中之下模上配置引线框之状态的平面图。第七图系表示以往之光半导体装置的侧面图。第八图系表示制造以往之光半导体装置所用之金属模的图式,(a)系表示在下模具上配置引线框之状态的图式,(b)系表示以(a)之X-X切割之箭号方向观看金属模的剖面图。 |
