| 主权项 |
1.一种提升含蜡进料品质的方法,该方法包含在高温与高压,且存在有氢之提升品质条件下,令含蜡进料与触媒接触,而所述之触媒包含藉由下列方式所制得之经结合粉末粒状触媒:混合包含10分子环单向之细孔无机氧化物分子筛之粉末分子筛脱蜡触媒与粉末异构化触媒,一起混合粉末之物质而形成均质团,压缩/挤出该均质团并将该压缩/挤出之均质团做成粒状物,其中该10分子环单向之细孔无机氧化物分子筛通常具有椭圆形之1-D细孔,该细孔具有在4.2A与4.8A间之短轴及在5.4A与7.0A间之长轴,长短轴之大小系由X射线结晶学所决定;该异构化触媒包含在耐火金属氧化物载体上之选自VIB族、VII族、VIII族及其混合物之触媒活性金属;且粉末分子筛触媒与粉末异构化触媒结合之比例范围为1:100至100:1。2.如申请专利范围第1项之方法,其中粉末分子筛与粉末异构化触媒一起混合,并将勃姆石或假勃姆石加至该混合物中,该混合物经压缩/挤出并做成粒状物,该粒状物锻烧而转化勃姆石/假勃姆石成为氧化铝而产生触媒颗粒。3.如申请专利范围第1项之方法,其中无机氧化物分子筛包含从0.1至5wt%之至少一种族VIII金属。4.如申请专利范围第3项之方法,其中无机氧化物分子筛包含选自铂与钯之族VIII金属。5.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中无机氧化物分子筛系选自ZSM-22,ZSM-23,ZSM-35,镁硷沸石,ZSM-48,斜发沸石与随其晶体结构相同之物质,及SAPO-11。6.如申请专利范围第3项之方法,其中无机氧化物分子筛系选自ZSM-22,ZSM-23,ZSM-35,镁硷沸石,ZSM-48,斜发沸石与随其晶体结构相同之物质,及SAPO-11。7.如申请专利范围第1或2项之方法,其中耐火金属氧化物载体另外包括选自卤素,磷硼,氧化钇,镁氧之掺杂剂。8.如申请专利范围第7项之方法,其中当耐火金属氧化物载体为氧化铝时,掺杂剂为卤素。9.如申请专利范围第8项述之方法,其中掺杂剂为氟。10.如申请专利范围第7项之方法,其中当耐火金属氧化物载体为矽-氧化铝时,掺杂剂为氧化钇或镁氧。11.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中含蜡进料在提升品质的处理之前先进行氢化处理。12.如申请专利范围第11项之方法,其中氢化处理系在280至400℃之温度范围,500至3000psi压力范围,500至5000SCF/bb1之氢处理气体速度范围与0.1至5LHSV之流速范围中操作。13.如申请专利范围第1或第2项之方法,其中所使用之提升品质条件包括300至375℃之温度范围,500至3000psi之压力范围,1000至10,000SCF/bb1之氢处理气体速率范围与0.1至10LHSV之流速范围。14.一种经结合混合之粉末粒状提升品质用触媒,其系藉由下列方式而制备:混合包含10分子环单向之细孔无机氧化物分子筛之粉末分子筛脱蜡触媒与粉末异构化触媒,一起混合粉末之物质而形成均质团,压缩/挤出该均质团并将该压缩/挤出之均质团做成粒状物,其中该异构化触媒包含在耐火金属氧化物载体上之选自VIB族、VII族、VIII族及其混合物之触媒活性金属;且粉末分子筛触媒与粉末异构化触媒结合之比例范围为1:100至100:1。15.如申请专利范围第14项之触媒,其中粉末分子筛与粉末异构化触媒一起混合,并添加勃姆石或假勃姆石至该混合物中,将该混合物压缩/挤出并做成粒状物,将粒状物锻烧而转化勃姆石/假勃姆石成为氧化铝而产生合成之触媒颗粒。16.如申请专利范围第14或第15项之触媒,其中10分子环单向细孔无机氧化物分子筛通常具有椭圆形之1-D细孔,该细孔具有在4.2A与4.8A间之短轴及在5.4A与7.0A间之长轴,而长短轴之大小系由X射线结晶学所决定。17.如申请专利范围第13或第14项之触媒,其中粉末分子筛脱蜡触媒与粉末异构化触媒之结合比例范围为1:100至100:1。 |
