积体电路之晶圆光阻图案的监测方法

摘要

本发明系有关于一种积体电路制造过程中，生产线上晶圆之光阻图案的监测方法。此方法为先制作单一小晶片区域（single field）之光罩，该区域之左侧切割通道上方为一半透光的区域，右侧相对位置则为监测图案（monitor feature），接着，再利用重复曝光机（stepper），将单一小晶片区域之左右部分两两重叠曝光在一起，以形成连续的区域（continuous fields），并将待测的光阻图案，由垂直地切成两半，如此则称为光学切割（photocleaved）光阻图案，然后再于检验仪器如：电子显微镜下检验光学切割后的光阻图案，即达成本发明监测线上晶圆光组图案的方法。

主权项

1.一种积体电路之晶圆光阻图案的监测方法,其步骤系包含:(1)在矽晶圆上表面涂布一层光阻膜;(2)将光罩上单一小晶片的图形,利用重复曝光机,将上述单一小晶片左侧透光率的区域和其右侧相对位置的监测图形(monitor features)两两重叠曝光在所述矽晶圆表面之光阻膜上;(3)将所述光阻膜显影(develop);(4)检验所述光阻膜被步骤(2)光学切割(photocleave)后的光阻图形;(5)检验光阻图形后,如其状况正常,则所述矽晶圆继续进行后续的蚀刻步骤。2.如申请专利范围第一项所述之方法,其中所述低透光率之区域,其透光率系介于5%-80%之间。3.如申请专利范围第一项所述之方法,其中所述低透光率之区域,系在所述光罩上,沈积一层铬(chromium)或是硼磷搀杂玻璃(BPSG)等半透光的物质。4.如申请专利范围第一项所述之方法,其中所述低透光率之区域,系在所述光罩上,制作一系列间距极小的平行光栅图形。5.如申请专利范围第一项所述之方法,其中所述监测图形,系为圆孔状,其半径系小于1.5微米(micron)。图式简单说明:第一图为习知技艺光学切割法(photo-cleaved)检测光阻图案之晶圆剖面图。第二图A、B为本发明光学切割法(photo-cleaved)检测光阻图案之单一小晶片光罩。第三图A、B为本发明光学切割法(photo-cleaved)检测光阻图案之单一小晶片图形经过重复曝光机曝光之后,在晶圆上所形成的连续图案。第四图为本发明光学切割法检测光阻图案之晶圆剖面图。为了清析起见,图示并没有按照实际的比例来画。