改进矽化钨热稳定性的方法

摘要

一种改进矽化钨热稳定性的方法，系在半导体基底上，依序形成多晶矽层与矽化钨层。之后，将此半导体基底暴露在氮气(N2)电浆下，在室温的条件下进行氮化反应，形成一层薄的氮化钨层于矽化钨层上。然后，形成一层氮化矽层于氮化钨层上，由于氮化钨层热稳定性较佳，在形成氮化矽层时，会减少矽化钨再结晶的机率，同时氮化钨会填入再结晶的矽化钨的空隙与晶粒的边界内。接着进行微影蚀刻制程，以在半导体基底上形成闸极结构。

主权项

1.一种改进矽化钨热稳定性的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底,其上已设有一多晶矽层与一矽化钨层;形成一氮化钨层于该矽化钨层上;形成一氮化矽层于该氮化钨层上;以及去除部分该氮化矽层、该氮化钨层、该矽化钨层及该多晶矽层,以形成一闸极结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化钨层系利用氮气电浆进行氮化反应形成。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该氮化钨层系在室温下反应。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该氮化钨层的反应时间约为5分钟。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化钨层的厚度约为5nm。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化矽层系以电浆化学气相沈积法形成。7.一种改进矽化钨热稳定性的方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;形成一多晶矽层于该半导体基底上;形成一矽化钨层于该多晶矽层上;以氮气电浆进行氮化反应,形成一氮化钨层于该矽化钨层上;形成一氮化矽层于该氮化钨层上;以及进行微影与蚀刻步骤,去除部分该氮化矽层、该氮化钨层、该矽化钨层及该多晶矽层,以形成一闸极结构。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该氮化钨层系在室温下进行氮化反应。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该氮化钨层之厚度约为5nm。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该氮化钨层的反应时间约为5分钟。图式简单说明:第一图A至第一图D为一种习知的闸极结构的制造剖面绘示图;以及第二图A至第二图C绘示为本发明一较佳实施例的制造方法流程图。