半导体衬底、半导体薄膜以及多层结构的制造工艺

摘要

半导体衬底制造工艺,包括:准备第1衬底的步骤,该衬底有经过氢退火的表面层部分;分离层的形成步骤,从表面层部分一侧把氢之类的离子注入第1衬底。从而形成分离层相互键合第1硅衬底与第2硅衬底的键合步骤,使表面层部分位于内部,从而形成多层结构;以及利用分离层分离多层结构的转移步骤,从而把表面层部分的低缺陷层转移到第2衬底上。该低缺陷层是体晶片中减少了COP和FPD等固有缺陷的单晶体硅层。

主权项

1.一种半导体衬底制造工艺，包括：第1衬底的准备步骤，第1衬底具有经受氢退火的一个表面层部分；分离层的形成步骤，将选自一组由氢气、氮气和稀有气体中的至少一种元素离子，从所述表面层部分，注入到所述第1衬底儸龋，从而形成一个分离层；键合步骤，使所述第1衬底与一个第2衬底相互键合，使所述表面层部分可处于内部，从而形成了多层结构；以及转移步骤；在所述分离层处，将所述多层结构分开，使至少部分所述表面层部分转移到所述第2衬底上。