| 主权项 |
1.一种内连线的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,于该基底上形成一金属层;于该基底上形成一介电层;将该介电层图案化,以形成一介层窗开口,裸露出该金属层;执行一表面处理步骤;以及于该介层窗开口中形成一介层窗插塞。2.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中形成该介电层的方法包括:于该基底上形成一富含矽氧化物层;于该富含矽氧化物层上形成一旋涂式物质层;以及于该旋涂式物质层上形成一氧化物层。3.如申请专利范围第2项所述之内连线的制造方法,其中该旋涂式物质层之材质包括氢化矽倍半氧化物与流动性氧化物其中之一。4.如申请专利范围第2项所述之内连线的制造方法,在形成该旋涂式物质层之后,形成该氧化物层之前,更包括施行离子植入步骤。5.如申请专利范围第3项所述之内连线的制造方法,在形成该旋涂式物质层之后,形成该氧化物层之前,更包括形成一保护层,且该保护层与该氧化物层具有不同之研磨速率。6.如申请专利范围第5项所述之内连线的制造方法,在形成该介电层之后,将该介电层图案化之前,更包括以该保护层为蚀刻终止层,透过化学机械研磨法之制程去除部份的该氧化层,以全面性平坦化。7.如申请专利范围第5项所述之内连线的制造方法,其中该保护层之材质包括氮化矽、氮氧化矽、氧化铝与五氧化二钽其中之一。8.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以离子植入的方式执行。9.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以电浆的方式执行。10.如申请专利范围第9项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以氧气为气体源。11.如申请专利范围第9项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以氢气为气体源。12.如申请专利范围第6项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以离子植入的方式执行。13.如申请专利范围第6项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以电浆的方式执行。14.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中,形成该该金属层之前,更包括下列步骤:于该基底上形成一内层介电层;于该内层介电层上形成一蚀刻终止层;以及于该蚀刻终止层与该内层介电层中形成一接触窗插塞。15.如申请专利范围第1项所述之内连线的制造方法,其中该蚀刻终止层之材质包括氮化矽、氮氧化矽、氧化铝与五氧化二钽其中之一。16.如申请专利范围第14项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以离子植入的方式执行。17.如申请专利范围第14项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以电浆的方式执行。18.一种内连线的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底,并于该基底上依序形成一内层介电层与一蚀刻终止层;于该内层介电层与该蚀刻终止层中形成一接触窗插塞于该基底上形成一金属层,与该接触窗插塞电性耦接;于该基底上形成共形之一富含矽介电层;于该基底上形成一旋涂式物质层;进行一离子植入步骤;于该旋涂式物质层上形成一保护层;于该保护层上形成一氧化物介电层;以该保护层为研磨终止层,利用化学机械研磨法,去除份该氧化物介电层,以全面性平坦化;以该蚀刻终止层为蚀刻终点,将该氧化物介电层、该旋涂式物质层与该富含矽氧化物介电层图案化,以形成一介层窗开口,裸露出该金属层;执行一表面处理步骤;以及于该介层窗开口中形成一介层窗插塞。19.如申请专利范围第18项所述之所述之内连线的制造方法,其中该蚀刻终止层之材质包括氮化矽、氮氧化矽、氧化铝与五氧化二钽其中之一。20.如申请专利范围第18项所述之内连线的制造方法,其中该旋涂式物质层之材质包括流动性氧化物。21.如申请专利范围第18项所述之内连线的制造方法,其中该旋涂式物质层之材质包括氢化矽倍半氧化物。22.如申请专利范围第18项所述之内连线的制造方法,其中该旋涂式物质层之材质包括低介电常数之介电材料。23.如申请专利范围第18项所述之内连线的制造方法,其中该保护层与该氧化矽介电层具有不同的研磨速率。24.如申请专利范围第23项所述之内连线的制造方法,其中该保护层之材质包括氮化矽、氮氧化矽、氧化铝与五氧化二钽其中之一。25.如申请专利范围第18项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以离子植入的方式执行。26.如申请专利范围第18项所述之内连线的制造方法,其中该表面处埋步骤系以电浆的方式执行。27.如申请专利范围第26项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以氧气为气体源。28.如申请专利范围第26项所述之内连线的制造方法,其中该表面处理步骤系以氢气为气体源。图式简单说明:第一图A至第一图D绘示习知一种内连线的制造流程剖面图;以及第二图A至第二图E绘示依照本发明实施例,一种内连线的制造流程剖面图。 |
