| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体的制造方法,其中所提供的一基底上已形成有一场效电晶体,且该场效电晶体包括一源极区与一汲极区,该方法包括下列步骤:于该基底上形成一第一介电层;定义该第一介电层,形成一第一自动对准接触窗开口,裸露出该源极区,形成一第二自动对准接触窗,裸露出该汲极区;于该基底上依序形成一第一导体层与一顶盖层,使其填入该第一与该第二自动对准接触窗开口;去除部份之该顶盖层与部份之该导体层,以使留下之该顶盖层与留下之部份该第一导体层形成一位元线与该源极电性耦接,同时使留于该第二自动对准接触窗开口中的部份该第一导体层形成一导体插塞与该汲极区电性耦接;于该位元线之侧壁形成一间隙壁于该基底上形成一第二介电层;去除部份该第二介电层,形成一第三自动对准接触窗开口,裸露出该导体插塞;于该基底上形成一第二导体层,使其覆盖该基底,并且填入该第三自动对准接触窗开口与该导体插塞电性耦接,形成一储存电极;于该第二导体层上形成一介电膜层;以及于该介电膜层上形成一第三导体层,以作为一胞电极。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该顶盖层和该间隙壁与该第一介电层的材质具有不同之蚀刻率。3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该顶盖层和该间隙壁与该第二介电层的材质具有不同之蚀刻率。4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该第一、该第二与该第三导体层之材质包括掺杂复晶矽。5.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中形成该第二介电层之后与去除部份该第二介电层之前更包括:于该第二介电层上形成一蚀刻终止层;定义该蚀刻终止层,形成一窄开口,该窄开口对应于该汲极区之上方;于该蚀刻终止层上形成一堆叠牺牲层,该堆叠牺牲层系由复数个第一绝缘层与复数个第二绝缘层相互叠置而成;以及定义该堆叠牺牲层,形成一广开口,暴露出该蚀刻终止层;去除部份该第二介电层之后与形成该第二导体层之前更包括:进行一湿式蚀刻制程,该湿式蚀刻制程对该些第一绝缘层与该些第二绝缘层具有不同之蚀刻率,使暴露于该广开口的该堆叠牺牲层表面形成剖面为具有复数凹陷区的齿轮状轮廓;以及形成该第二导体层之后与形成该介电膜层之前更包括:去除该堆叠牺牲层。6.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该蚀刻终止层与该第二介电层的材质具有不同之蚀刻率。7.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该蚀刻终止层与该第一绝缘层以及该些第二绝缘层的材质具有不同之蚀刻率。8.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该些第一绝缘层与该些第二绝缘层的材质具有不同之蚀刻率。9.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该些第一绝缘层之材质包括硼磷矽玻璃,且该些第二绝缘层之材质包括氧化矽。10.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该些第一绝缘层之材质包括氧化矽,该些第二绝缘层之材质包括硼磷矽玻璃。11.如申请专利范围第9项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该湿式蚀刻制程包括使用缓冲氧化蚀刻剂进行蚀刻。12.如申请专利范围第10项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该湿式蚀制程包括使用缓冲氧化蚀刻剂进行蚀刻。13.如申请专利范围第5项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中去除该堆叠牺牲层的方法包括等向性蚀刻。14.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该介电膜层之材质包括氧化矽/氮化矽/氧化矽。15.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该介电膜层之材质包括五氧化二钽。16.一种动态随机存取记忆体的制造方法,其中所提供的一基底上已形成有一场效电晶体,且该场效电晶体包括一源极区与一汲极区,该方法包括下列步骤:于该基底上形成一第一介电层;定义该第一介电层,形成一第一与一第二自动对准接触窗开口,其中,该第一自动对准接触窗开口裸露出该源极区,该第二自动对准接触窗裸露出该汲极区;于该基底上依序形成一第一导体层与一顶盖层,使其填入该第一与该第二自动对准接触窗开口;去除部份之该顶盖层与部份之该导体层,以使留下之该顶盖层与留下之部份该第一导体层形成一位元线与该源极电性耦接,同时使留于该第二自动对准接触窗开口中的部份该第一导体层形成一导体插塞与该汲极区电性耦接;于该位元线之侧壁形成一间隙壁于该基底上形成一第二介电层;于该第二介电层上形成一蚀刻终止层;定义该蚀刻终止层,形成一窄开口,该窄开口对应于该汲极区之上方;于该蚀刻终止层上形成一堆叠牺牲层,该堆叠牺牲层系由复数个第一绝缘层与复数个第二绝缘层相互叠置而成;定义该堆叠牺牲层,形成一广开口,暴露出该蚀刻终止层;以该蚀刻终止层为罩幕,去除部份该第二介电层,形成一第三自动对准接触窗开口,裸露出该导体插塞;进行一湿式蚀刻制程,该湿式蚀刻制程对该些第一绝缘层与该些第二绝缘层具有不同之蚀刻率,使暴露于该广开口的该堆叠牺牲层表面形成剖面为具有复数凹陷区的齿轮状轮廓;于该基底上形成一第二导电层,使其填入于该些凹陷区,覆盖该堆叠牺牲层之齿轮状轮廓表面,并且填入该第三自动对准接触窗开口与该导体插塞电性耦接,形成一储存电极;去除该堆叠牺牲层。以该第二导体层所裸露的表面上形成一介电膜层;以及于该介电膜层上形成一第三导体层,以作为一胞电极。17.如申请专利范围第16项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该顶盖层和该间隙壁与该第一介电层的材质具有不同之蚀刻率。18.如申请专利范围第16项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该蚀刻终止层与该第二介电层的材质具有不同之蚀刻率。19.如申请专利范围第16项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该蚀刻终止层与该第一绝缘层以及该些第二绝缘层的材质具有不同之蚀刻率。20.如申请专利范围第17项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该些第一绝缘层与该些第二绝缘层的材质具有不同之蚀刻率。21.如申请专利范围第20项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该些第一绝缘层之材质包括硼磷矽玻璃,且该些第二绝缘层之材质包括氧化矽。22.如申请专利范围第20项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该些第一绝缘层之材质包括氧化矽,该些第二绝缘层之材质包括硼磷矽玻璃。23.如申请专利范围第21项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该湿式蚀刻制程包括使用缓冲氧化蚀刻剂进行蚀刻。24.如申请专利范围第22项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该湿式蚀制程包括使用缓冲氧化蚀刻剂进行蚀刻。25.如申请专利范围第16项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中去除该堆叠牺牲层的方法包括等向性蚀刻。26.如申请专利范围第16项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该介电膜层之材质包括氧化矽/氮化矽/氧化矽。27.如申请专利范围第16项所述之动态随机存取记忆体的制造方法,其中该介电膜层之材质包括五氧化二钽。第一图为动态随机存取记忆体元件之记忆胞的电路示意图;第二图为习知一种柱状电容器之动态随机存取记忆体元件的剖面图;以及第三图A至第三图I,其绘示依照本发明一较佳实施例的一种动态随机存取记忆体的制造流程剖面图。 |
