| 发明名称 |
Method for galvanically forming conductor structures of high-purity copper in the production of integrated circuits |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
AU3143500(A) |
申请公布日期 |
2000.08.07 |
| 申请号 |
AU20000031435 |
申请日期 |
2000.01.11 |
| 申请人 |
ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH |
发明人 |
HEINRICH MEYER;ANDREAS THIES |
| 分类号 |
C25D3/38;C25D5/18;C25D7/12;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52 |
主分类号 |
C25D3/38 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
