| 主权项 |
1.一种具有T形闸极之电晶体的制造方法,包括:提供一基底;形成一闸氧化层覆盖该基底;于该闸氧化层上形成一复晶矽层;于该基底上形成一介电层,其中该复晶矽层突出于该介电层;于该介电层上形成一复晶矽间隙壁紧接于该复晶矽层突出于该介电层所暴露出来之侧壁;移除部分该介电层,以于该复晶矽间隙壁下方形成一介电层间隙壁;于该基底中形成一源极/汲极区;进行一加热制程,使该复晶矽间隙壁与部分该复晶矽层分别变质为一非晶矽间隙壁与一非晶矽层;形成与该基底共形之一金属层;进行另一加热制程,以使部分该金属层与该非晶矽层以及该非晶矽间隙壁反应形成一金属矽化物层;以及移除该金属层。2.如申请专利范围第1项所述之具有T形闸极之电晶体的制造方法,其中该方法更包括于形成该复晶矽层之后,于该基底中形成一轻掺杂汲极区。3.如申请专利范围第2项所述之具有T形闸极之电晶体的制造方法,其中该方法更包括于该基底中形成一口袋掺杂区。4.如申请专利范围第1项所述之具有T形闸极之电晶体的制造方法,其中形成该源极/汲极区的方法包括以该复晶矽层与该复晶矽间隙壁为罩幕,对该基底进行离子植入。5.如申请专利范围第1项所述之具有T形闸极之电晶体的制造方法,其中形成该非晶矽间隙壁与该非晶矽层的方法包括以大约摄氏900度至1100度的温度进行大约5秒至15秒的回火制程。6.如申请专利范围第1项所述之具有T形闸极之电晶体的制造方法,其中形成该金属矽化物层的方法包括进行一加热制程,其中该加热制程系分成两阶段实施。7.如申请专利范围第6项所述之具有T形闸极之电晶体的制造方法,其中该第一阶段之加热制程包括在充满氨气的环境中,以大约摄氏600度至700度的高温进行大约25秒至35秒。8.如申请专利范围第6项所述之具有T形闸极之电晶体的制造方法,其中该第二阶段之加热制程包括在充满氨气的环境中以大约摄氏750度至850度的温度进行大约15秒至25秒。9.如申请专利范围第1项所述之具有T形闸极之电晶体的制造方法,其中该金属层的材质包括钛与钴其中之一。10.如申请专利范围第1项所述之具有T形闸极之电晶体的制造方法,其中移除该金属层的方法包括以氢氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)与去离子水以大约1:1:4的比例混合而成的溶液在大约摄氏65度至75度的温度下进行湿式回蚀刻。11.一种T形闸极的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一复晶矽层;于基底上形成一介电层,其中该介电层的表面低于该复晶矽层的表面;于该介电层上形成一复晶矽间隙壁紧接于该复晶矽层突出于该介电层之侧壁;进行一加热制程,以使该复晶矽间矽壁与部分该复晶矽层分别变质为一非晶矽间矽壁与一非晶矽层;形成一金属层覆盖该非晶矽间壁与该非晶矽层;进行另一加热制程,以使该金属层与该非晶矽间矽壁以及该非晶矽层进行反应,以形成一金属矽化物层;以及移除该金属层。12.如申请专利范围第11项所述之T形闸极的制造方法,其中形成该非晶矽间隙壁与该非晶矽层的方法包括以大约摄氏900度至1100度的温度进行大约5秒至15秒的回火制程。13.如申请专利范围第11项所述之T形闸极的制造方法,其中形成该金属矽化物层的方法包括进行一加热制程,其中该加热制程系分成两阶段实施。14.如申请专利范围第13项所述之T形闸极的制造方法,其中该第一阶段之加热制程包括在充满氨气的环境中,以大约摄氏600度至700度的高温进行大约25秒至35秒。15.如申请专利范围第13项所述之T形闸极的制造方法,其中该第二阶段之加热制程包括在充满氨气的环境中以大约摄氏750度至850度的温度进行大约15秒至25秒。16.如申请专利范围第11项所述之T形闸极的制造方法,其中该金属层的材质包括钛与钴其中之一。17.如申请专利范围第11项所述之T形闸极的制造方法,其中移除该金属层的方法包括以氢氧化铵(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)与去离子水以大约1:1:4的比例混合而成的溶液在大约摄氏65度至75度的温度下进行湿式回蚀刻。图式简单说明:第一图A至第一图C绘示习知一种制造具有多晶矽化物金属之闸极的剖面流程图;以及第二图A至第二图G绘示依照本发明知一较佳实施例,一种具有T形闸极之电晶体的制造方法的流程剖面图。 |
